MBE生长的GaN的物性

• 作者: 刘帆 李瑶 苑进社 郑显通
• 来源期刊: 重庆理工大学学报：自然科学
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 氮化镓 表面形貌 光致发光 电学性质
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 电子·自动化
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: TN20
• 字数: 1148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-8425-B.2012.04.018

摘要

用分子束外延技术制备了厚度为0.8μm的GaN样品。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜和高分辨率X光衍射仪对样品进行了表征分析。研究发现：样品中刃位错密度为2.2×1010cm-2,比螺位错密度高1个数量级;室温光致发光的研究发现很强的带边峰,黄带和蓝带发光比带边峰强度要低1～2个数量级;室温霍尔测量发现迁移率为129 cm2/v.s,载流子浓度为2.421×1014cm-3。实验结果表明,采用MBE方法生长的GaN能有效降低背景浓度,但是晶体质量较差,位错密度较高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘帆	重庆师范大学物理与电子工程学院	5	8	1.0	2.0
2	苑进社	重庆师范大学物理与电子工程学院	20	32	3.0	4.0
3	李瑶	重庆师范大学物理与电子工程学院	3	0	0.0	0.0
4	郑显通	重庆师范大学物理与电子工程学院	2	0	0.0	0.0