碱性铜抛光液在CMP工艺中的性能评估

• 作者: 刘伟娟 刘玉岭 蒋勐婷 袁浩博 陈国栋
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碱性铜抛光液 去除速率 片内非均匀性(WIWNU) 高低差 平坦化
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 404-408
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.06.010

摘要

研究了一种碱性铜抛光液,其基本组分是硅溶胶磨料、新型FA/O V型螯合剂、非离子表面活性剂和氧化剂(H2O2).在压力为2 psi(1 psi=6.895 kPa)、抛头转速与抛盘转速分别为97和103 r/min、流量为300 mL/min的条件下,分析了铜膜去除速率随着螯合剂和氧化剂体积分数增加的作用规律.结果表明,加入体积分数2％的螯合剂和体积分数3％的氧化剂时,抛光液具有较好的自钝化能力和较高的铜膜去除速率.同时,研究了工艺参数在抛光过程中对去除速率和片内非均匀性(WIWNU)的影响,平坦化实验的抛光工艺选择压力1.5 psi、抛头和抛盘转速分别为87和93 r/min、流量300 mL/min.实验结果表明:此种抛光液在上述工艺条件下,抛光结束时剩余高低差为63.7 nm,具有较好的平坦化效果,对抛光液商业化提供了参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	蒋勐婷	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
3	袁浩博	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
4	陈国栋	河北工业大学微电子研究所	3	18	3.0	3.0
5	刘伟娟	河北工业大学微电子研究所	4	18	3.0	4.0