薄膜晶体管透明电极铟锡氧化物雾状不良的分析研究

• 作者: 林承武 王守坤 袁剑峰 邵喜斌 郭总杰
• 来源期刊: 液晶与显示
• 关键词: 铟锡氧化物 薄雾不良 边缘场开关薄膜晶体管 等离子体化学气相沉积 氮化硅膜 透过率
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 355-360
• 页数: 6页
• 字数: 3733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142903.0355

摘要

对FFS-TFT制作工艺中,与氮化硅膜层接触的透明电极ITO发生的雾状不良进行分析研究.通过扫描电子显微镜、宏观/微观显微镜和背光源测试设备对样品进行分析.结果显示接触层的等离子体界面处理对ITO的透过率和膜质特性有较大影响,可导致严重的雾状不良发生和刻蚀工艺中的膜层下端过度刻蚀的问题.通过在透明电极ITO上面沉积微薄的过渡缓冲膜层,并优化界面等离子体处理条件,可以改善雾状不良.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭总杰		7	18	2.0	3.0
2	袁剑峰		12	32	4.0	4.0
3	邵喜斌		13	27	3.0	4.0
4	王守坤		3	8	2.0	2.0
5	林承武		4	26	2.0	4.0