FD-SOI能否成为28nm以后的集成电路工艺路线

• 作者: 张毓波
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 制造工艺 FD-SOI 28nm
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 应用专题
• 页码范围: 26-31
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 2313字
• 语种: 中文

摘要

FD-SOI工艺在中国能否获得支持和采用正处在关键期。先进半导体制造产线的巨额投资，使FD-SOI工艺、平面工艺、FinFET工艺之战引人瞩目。FD-SOI被认为是其中的黑马，尽管实际上目前备受关注的是其在平面工艺范畴中的表现，但FD-SOI也具备升级至3D架构的能力。本文将重点关注FD-SOI产业链的诸多环节在一年中发生的变化。