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摘要:
嵌入式存储器易受到空间单粒子效应(Single-Event Effects, SEE)的影响。该文提出了一种单粒子效应失效率评估的方法,包含了单粒子翻转和单粒子瞬态扰动等效应对嵌入式存储器不同电路单元的具体影响,可对不同存储形式、不同容错方法的嵌入式存储器单粒子效应失效率进行定量评估。该文提出的评估方法在中国科学院电子学研究所自主研制的嵌入式可编程存储器试验芯片上得到了验证,地面单粒子模拟实验表明该文方法预测的失效率评估结果与实验测试结果的平均偏差约为10.5%。
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文献信息
篇名 嵌入式存储器空间单粒子效应失效率评估方法研究
来源期刊 电子与信息学报 学科 工学
关键词 片上系统 嵌入式存储器 单粒子效应(SEE) 失效率 评估
年,卷(期) 2014,(12) 所属期刊栏目 论文
研究方向 页码范围 3035-3041
页数 7页 分类号 TN432
字数 5011字 语种 中文
DOI 10.3724/SP.J.1146.2013.02025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨海钢 中国科学院电子学研究所 134 485 10.0 15.0
2 王新刚 中国科学院电子学研究所 5 57 4.0 5.0
6 蔡刚 中国科学院电子学研究所 13 35 4.0 5.0
7 李天文 中国科学院电子学研究所 8 19 3.0 4.0
11 支天 中国科学院电子学研究所 7 12 2.0 3.0
15 秋小强 中国科学院电子学研究所 5 23 4.0 4.0
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研究主题发展历程
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片上系统
嵌入式存储器
单粒子效应(SEE)
失效率
评估
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子与信息学报
月刊
1009-5896
11-4494/TN
大16开
北京市北四环西路19号
2-179
1979
chi
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