PECVD在TSV领域的应用

• 作者: 李晶
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 硅通孔技术(TSV) 正硅酸乙酯(TEOS) 二氧化硅薄膜(SiO2)
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 先进封装技术与设备
• 页码范围: 6-8,12
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.96
• 字数: 1737字
• 语种: 中文

摘要

PECVD设备及工艺技术已在半导体前道互连工艺及TSV领域展现了其广阔的应用前景,介绍了拓荆PECVD在TSV领域的应用,展现其良好的工艺表现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晶		1	0	0.0	0.0