航空太阳能电池用超薄锗单晶的精密抛光

• 作者: 刘玉岭 孙鸣 李强 杨昊鹍 牛新环
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 锗衬底 航空电子 抛光液 氧化剂 粗糙度
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 537-541
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文

摘要

主要对影响锗单晶抛光后表面微粗糙度的关键因素—抛光液组分的作用进行分析.采用变量控制的实验方法,从活性剂、有机胺碱、氧化剂、硅溶胶磨料和螯合剂五个因素出发进行实验.针对粗糙度影响因素进行分析与优化,同时对抛光速率进行了分析,研究得出,抛光液组分中氧化剂浓度对CMP过程中锗衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著.优化抛光液组分配比,在抛光速率基本满足工业要求(1.5 μm/min)下,经过CMP后锗衬底表面微粗糙度可有效降到1.81 nm(10 μm×10 μm).在最佳配比下,采用小粒径、低分散度(99％＜ 82.2 nm)的硅溶胶磨料配制抛光液,其抛光效果明显优于采用大粒径、高分散度的硅溶胶磨料配制的抛光液.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
3	李强	河北工业大学微电子研究所	27	86	5.0	7.0
4	孙鸣	河北工业大学微电子研究所	18	95	6.0	9.0
5	杨昊鹍	河北工业大学微电子研究所	5	20	3.0	4.0