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微电子学2012年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种基于90 nm CMOS工艺的全数字锁相环,重点介绍了几种子模块电路结构,包括鉴频鉴相器、时间数字转换器、数字控制振荡器和新型2阶数字滤波器,分别对其性能进行了分析.仿真测试结果表...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 为了消除非线性误差对模数转换器(ADC)的性能影响,同时提高ADC的精度,采用基于Volterra核的数字后台校正平台,实现了对ADC非线性的校正.完成了Volterra级数高阶核的快速分离...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种dB线性增益的数字控制可变增益放大器.以二极管做负载的全差分输入共源极放大器为原型,通过同时同比例地改变输入输出晶体管尺寸比和偏置电流比来控制增益变化,使输入输出晶体管的电流密度保...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 介绍了一种应用于超低EMI无滤波D类音频功放的全差分运算放大器结构,可构成积分器,起滤除高次谐波的作用.该运算放大器采用两级结构来获得高增益,第一级为折叠共源共栅,偏置电路采用反馈结构,给整...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出一种适合传感器微弱信号检测应用的全差分低噪声、低失调斩波运算放大器.采用两级折叠共源共栅运放结构,基于斩波稳定及动态元件匹配技术,通过在运放低阻节点的电流通路上添加斩波开关的设计方式,增...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 针对大规模相变存储器所具有的寄生电容大、可能出现读破坏现象等特性,提出了一种读电压模式的相变存储器读出电路及其快速读出方法.基于SMIC 40 nm CMOS工艺的仿真结果表明,在2.5V电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 针对传统的斩波运放具有大残余失调的特点,设计了一个嵌套式斩波运放.基于SMIC0.18μm工艺,通过Spectre仿真工具进行验证与仿真,运放的开环增益达到78.3 dB,共模抑制比达到11...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于传统RC振荡器的理论分析,采用电阻串分压提供参考电压的方式,设计了一种低电源电压灵敏度的振荡器.基于HHNEC 0.5μm BiCMOS工艺,完成了HSPICE仿真.仿真结果显示,该振荡...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 根据带隙基准的基本原理,结合含三条支路负反馈的电流源,设计了一种高阶补偿的带隙基准源电路.实现了对温度的2阶补偿和3阶补偿,获得了一种高电源抑制比、低温漂、不受电源变化影响的电压基准源.设计...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有低温度系数、带2阶补偿的带隙基准电压源.在传统放大器反馈结构带隙基准源的基础上,利用MOS器件的“饱和电流与过驱动电压成平方关系”产生2...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了一种简单而高效的新型软启动电路,实现了输出电压平稳、快速的上升.该电路有效抑制了DC-DC开关电源启动过程中出现的浪涌电流,同时避免了传统软启动电路在软启动结束时出现的输出电压过冲.电...
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12. 一种高速只读存储器拓扑结构的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题.设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容...
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13. 一种新型高速嵌入式动态随机存储器刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于二维器件模拟工具,研究了一种采用栅控二极管作为写操作单元的新型平面无电容动态随机存储器.该器件由一个n型浮栅MOSFET和一个栅控二极管组成.MOSFET的p型掺杂多晶硅浮栅作为栅控二极...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路.相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种基于BiCMOS工艺、结构新颖的过温保护电路.对基准电流产生机理、芯片关断温度、芯片重新开启温度、温度滞回量和电路转换速度进行理论推导,给出了电路核心器件的参数设置.仿真结果显示,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了一种基于0.25 μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路.该电路使用了耐压60 V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于0.6 μm BiCMOS工艺,设计了一款高精度电荷泵电源管理芯片.该芯片利用2倍压电荷泵电源转换原理,芯片内部集成了具有优异频率响应的振荡器电容,施密特触发器提供内部精准频率,PFM调...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： MEMS麦克风需要一个高于10 V的偏置电压才能工作,这个高电压一般由内部电荷泵电路产生.在传统Dickson电荷泵结构的基础上,提出一种改进的电荷泵结构.它首先将非重叠时钟的幅度加倍,然后...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 设计了一种采用增强型AB跟随器作为缓冲器的快速响应LDO.利用跟随器的动态电流提高能力,显著地改善了误差放大器对功率MOS管寄生大电容的驱动；同时,由负反馈引起的阻抗降低效应将功率管的寄生电...
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20. 高精度开关电流存储单元的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 基于0.18-μm 1.8 V CMOS标准工艺,设计了一个高精度开关电流存储单元.通过设置存储晶体管工作于线性区,并结合虚拟开关等技术,降低了由阈值电压失配和时钟馈通所产生的谐波失真,有效...
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21. 一种射频可编程N分频器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了用射频CML技术设计的2/3分频单元.基于2/3分频单元,使用0.35 μm SiGeBiCMOS工艺,实现了射频可编程N分频器.验证结果表明,电路可在GHz频率下正常工作,具有相噪低...
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22. 面向Linux内核的片上存储优化刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 便签存储器(SPM)作为主要的片上存储器之一,可以用来提升嵌入式Linux系统的性能,并降低其能耗.提出一种针对Linux内核的SPM管理及优化方案,实现了针对Linux内核热点代码段、数据...
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23. 高频高线性度跨导电容滤波器刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 为了提高滤波器的工作频率和线性度,提出一种新型跨导放大器.该跨导器采用差分和交叉耦合来改善跨导输入级直流传输特性的线性度,以及扩大输入电压允许范围；同时,为了稳定输出共模电平和增大动态范围,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出并实现了一种高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术.运行操作系统的CPU在不同任务之间切换时,需要对V-LRU RAM清零.使用传统的计数器依次清空V-LRU RAM的各行,CPU会...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 可重构Cache架构可根据程序的存储资源需求自动调整Cache结构,对系统能耗优化具有重要意义.设计了一种容量和组关联度可重构的指令Cache架构以及与之对应的高效自适应可重构算法.通过选取...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 同/异步串口集成了同步和异步串口的功能,相比于单一功能的串口,配置灵活,且节约芯片资源.通过模块化设计方法实现同/异步串口的设计与仿真,并着重在内部模块设计中体现同步和异步功能的有效结合,合...
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27. ITO:Mo透明导电薄膜的制备刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜.通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度.利用四探针法和霍尔效率测...
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28. 直流变换器软开关技术综述刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 近几十年来,随着功率密度的提高,DC/DC变换器软开关技术取得了很多成就.从谐振变换器、软开关-PWM变换器以及移相全桥软开关变换器三个方面对直流软开关技术进行了综述,比较了各种软开关技术的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 提出了一种采用实速测试方式测试SRAM性能参数及可靠性的方案.该方案在内建自测试( BIST)电路的基础上,通过增加一个超高速ADPLL为SRAM性能的实速测试提供一个高频时钟,同时还加入延...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2012年1期页码:摘要： 研究了高速A/D转换器动态参数测试方法,设计了基于Quartus Signaltap的测试平台.利用该平台对一款14位80 MS/s的A/D转换器芯片进行动态参数测试.测试结果表明,该平台方...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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