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微电子学

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Microelectronics

CA JST AJ SA CSTPCD

影响因子 0.2976

本刊是技术类期刊。传播、普及、推广微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。

主办单位：

四川固体电路研究所

期刊荣誉：

中文核心期刊 信息产业部优秀电子科技期刊

ISSN：

1004-3365

CN：

50-1090/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号24所

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热门刊内文献

年度刊次

1. 基于65 nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源

作者：杨晗侯晨琛钟泽谢家志廖书丹

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 1-4

摘要：采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源.首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电...
2. 一种可配置的电容-电压转换电路

作者：朱紫兰李文昌杨文轩刘剑

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 5-9

摘要：提出了一种检测微小电容信号的可配置的电容-电压转换电路.该电路由电容补偿电路、电荷积分电路、采样保持电路、低通滤波和缓冲器组成.使用调制解调的电容检测方法,实现了电容-电压转换.仿真结果表明...
3. 一种高侧功率开关的输出短路保护电路

作者：梁怀天方舟罗攀易子皓甄少伟乔明张波

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 10-15,21

摘要：提出了一种智能高侧功率开关的短路保护电路,包括输出短路检测电路、延时信号产生电路和栅源电压限制电路.采用NMOS管用作功率管,使电路短路时仍处于安全工作区内,提升了高侧功率开关的可靠性.采用...
4. 用于神经刺激器的单电感双极性直流电压转换器

作者：孙雷张育维张沕琳李冬梅

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 16-21

摘要：提出了一种应用于神经电刺激器的单电感双极性输出(SIBO)的直流电压转换器,具有良好的轻载效率和较低的设计复杂度.提出的SIBO系统只使用一个电感,通过两相控制同时输出正负电压,降低了控制复...
5. 一种采用SCOVP技术的高频率稳定度Buck变换器

作者：章玉飞甄少伟杨明宇罗攀易子皓方舟罗萍张波

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 22-27

摘要：提出了一种采用单周期输出电压预测(SCOVP)技术的自适应导通时间(AOT)控制Buck变换器.该变换器可以在输入输出电压及负载变化时实现频率恒定,并可设置外部电阻使Buck变换器准确工作在...
6. 一种GaN半桥驱动器电平移位电路设计

作者：成松林向乾尹冯全源

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 28-32

摘要： GaN半桥输出点电压在死区时间为负值,给GaN功率器件栅极驱动电路信号通信带来了挑战.通过研究驱动器电平移位锁存电路工作状态与半桥功率级输出节点电压跳变、死区时间负压之间的相互影响,设计了一...
7. 一种高精度滞环控制恒流LED驱动电路

作者：钱希琛邓红辉陈尚存张俊

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 33-39

摘要：基于降压型结构,设计了一种高精度的恒流LED驱动电路.在滞环控制模式的基础上,采用一种新型的自适应关断时间控制环路替代谷值检测反馈环路,间接地实现了对电感电流谷值的精确控制,避免了对谷值直接...
8. 一种多相DC-DC数字控制器的设计

作者：武昕甄少伟陈思远白正杨胡怀志罗萍张波

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 40-46

摘要：分析了多相DC-DC变换器的均流环路小信号动态特性以及极限环振荡条件,提出一种基于平均电流的数字均流技术,并据此实现了一种多相DC-DC数字控制器.采用基于同步设计的均流控制电路和数字脉宽调...
9. 一种2阶小阻尼系数负载的快速补偿驱动法

作者：潘高张波

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 47-51,56

摘要：提出了一种2阶小阻尼系数负载的快速补偿驱动方法.根据2阶系统传递函数,对2阶小阻尼系数负载的驱动信号进行变换,将具有相同衰减振荡周期的正、负向阶跃响应进行不同时间点的叠加,以补偿单个阶跃响应...
10. 一种新颖的多值基准输出缓冲器设计

作者：胡敏冯全源

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 52-56

摘要：对比分析了不同结构的传统多值基准输出缓冲器,提出了一种新颖的多值基准输出缓冲器结构.采用PMOS输出结构提高了输出电压摆幅,利用低输出阻抗结构加快了瞬态响应速度,解决了传统结构无法兼具高输出...
11. 具备谐波抑制的高阶有源N路径带通滤波器

作者：李捷韦保林岳宏卫韦雪明徐卫林段吉海

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 57-63

摘要：采用三级2阶N路径滤波单元设计了一种带谐波抑制功能的高阶有源N路径带通滤波器.在第二、三级之间插入负电阻和回转器,可提高滤波器的Q值、带宽和线性度;在末级的串联型2阶N路径滤波单元中采用有相...
12. 一种基于溢出值的局部拥塞消除技术

作者：吴伟邸志雄陈锦炜冯全源

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 64-67

摘要：随着芯片的集成度越来越高,物理设计布局阶段的拥塞问题越发严重.提出了一种基于溢出值的局部拥塞消除技术,根据溢出值选择出拥塞密度最高的拥塞区域,然后基于模拟退火算法对该区域内的高引脚单元设置合...
13. 一种无均流外环并联DC-DC变换器的设计

作者：郗登笛代国定武强陈宇峰姚如雪

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 68-72

摘要：设计了一种无均流外环并联DC-DC变换器,采用平均电流模式控制,通过控制最大编程电感电流,实现并联变换器的精确均流.采用小信号模型分析了并联变换器的均流误差和稳定性,电路实现了稳定的电流特性...
14. 一种基于BCD工艺的宽压-宽温电流基准电路

作者：邵刚刘敏侠田泽

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 73-78

摘要：设计了一种基于BCD工艺的宽压-宽温电流基准电路.利用片上多晶硅电阻的温度系数受工艺影响较小的特点,选定其为基准电流定义单元.分析片上电阻温度特性,并设计与其温度系数相等的参考电压,加载到电...
15. 一种低延迟极化码串行抵消译码器设计

作者：王晓蕾林青戴吴骏

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 79-84

摘要：为了克服5G移动通信系统中极化码串行抵消(SC)译码算法延迟高、计算复杂度高、硬件结构复杂度高等问题,基于冻结比特、冻结比特对和冻结区间等方式,提出了冻结比特设计模式.该设计模式包含基于冻结...
16. 基于差分编码技术的12.5 Gbit/s高速SerDes发射机

作者：彭嘉豪李儒章付东兵丁一杨虹

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 85-90

摘要：研究并设计了一种基于差分编码技术的12.5 Gbit/s高速SerDes发射机.该电路由并串转换模块、去加重控制模块和驱动模块组成.驱动模块采用电流模逻辑异或门结构,动态负载的加入可以在降低...
17. 硅基自旋量子比特技术研究进展

作者：戴永红赖凡刘荣贵

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 91-95

摘要：量子芯片是运用量子力学基本原理构建实用化计算机的基础.各国研究团队通过近几年的卓越研究工作,将硅基量子比特芯片技术发展成量子计算的核心方向之一.文章重点归纳了Si自旋量子比特的主要类型,分析...
18. 新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管

作者：谯彬陈万军高吴昊夏云张柯楠孙瑞泽

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 96-100

摘要：漂移阶跃恢复二极管(DSRD)一般应用于超宽带脉冲信号源,可以将纳秒级高压脉冲换向负载,这对于输出脉冲的上升前沿有很高的要求.文章提出了一种具有基区变掺杂的新型宽禁带材料漂移阶跃恢复二极管,...
19. 一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件

作者：李孟窈刘云涛蒋忠林

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 101-105

摘要：提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件.针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋氧方案,对浅沟槽隔离(STI)层采用了特殊S栅方案...
20. 基于RF MEMS开关的交指型可切换带通滤波器设计

作者：韩路路吴倩楠王姗姗范丽娜李孟委

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 106-111

摘要：为了有效解决信号/频谱分析仪等微波测试仪器尺寸较大、信号损耗高、选通切换效率差等问题,将射频MEMS开关引入交指型可切换滤波器结构中.通过MEMS四掷开关选择具有不同中心频率的交指型谐振器,...
21. 强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究

作者：刘玉奎殷万军谭开洲崔伟

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 112-115,120

摘要：采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构.对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试.测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善.对...
22. 一种隐埋缓冲掺杂层高压SBD器件新结构

作者：高闻浩孙启明冉晴月简鹏陈文锁

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 116-120

摘要：提出了一种新型隐埋缓冲掺杂层(IBBD)高压SBD器件,对其工作特性进行了理论分析和模拟仿真验证.与常规高压SBD相比,该IBBD-SBD在衬底上方引入隐埋缓冲掺杂层,将反向击穿点从常规结构...
23. 深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究

作者：仲崇慧于晓权

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 121-125

摘要：对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验.实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强.对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行...
24. 28 nm WLP封装中PBO结构对CPI可靠性的影响

作者：秦冲毛海央陈险峰李义

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 126-131

摘要：基于28 nm晶圆级封装(WLP)工艺,研究了聚苯撑苯并噁唑(PBO)对芯片-封装交互(CPI)可靠性的影响,分析了PBO堆叠关系和边缘位置的选择对CPI可靠性的影响.仿真实测结果表明,堆叠...
25. 静电注入对55 nm MV/HV GGNMOS ESD性能的影响

作者：王新泽毛海央金海波龙克文

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 132-136

摘要：静电防护问题是提升集成电路可靠性面临的主要挑战之一.基于55 nm HV CMOS工艺,研究了静电注入对中压(MV)和高压(HV) GGNMOS(Gate-Grounded NMOS)器件静...
26. 22 nm FD-SOI静态随机存储器的可靠性研究

作者：贺泽蔡畅赵凯赵培雄李东青刘天奇刘杰

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 137-141

摘要：针对22 nm FD-SOI CMOS工艺静态随机存储器(SRAM),研究了工艺角、工作电压、测试温度、总剂量效应对器件性能的影响.通过自动测试设备(ATE),有效地提取了FD-SOI存储器...
27. 金丝球焊复合键合工艺可靠性研究

作者：燕子鹏赵光辉谢廷明周成彬

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 142-145

摘要：对芯片铝焊盘上不同重叠面积的金丝球焊复合键合的可靠性进行研究,并与非复合键合进行对比.结果表明,随着复合键合重叠面积的减少,键合拉力和界面生成的合金化合物面积均无明显变化,而剪切强度呈下降...
28. 基于物联网平台的智慧园区设计与应用

作者：韩存地刘安强张碧川刘航李幸边帅陈婕

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年1期

页码: 146-150

摘要：利用物联网、人工智能、大数据、云计算和三维可视化等先进互联网技术和产品,提出了以园区智慧化管理系统为核心的“管控一体化”综合智慧园区系统设计技术.针对曹家滩智慧园区建设功能研究了设计原则要求...
29. 采用可调谐有源电感的多频段低噪声放大器

作者：张正张延华黄鑫那伟聪

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年2期

页码: 151-156

摘要：设计了一种采用可调谐有源电感(TAI)的多频段低噪声放大器(MBLNA).在放大级中,由电感值及Q值可多重调谐的TAI与电容值可调谐的变容二极管构成选频网络,并结合共射-共基放大电路,实现对...
30. 一种新型低功耗加固SRAM存储单元

作者：黄正峰李雪筠杨潇戚昊琛鲁迎春王健安倪天明徐奇

刊名：微电子学

发表期刊： 2021年2期

页码: 157-162

摘要：提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元.采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗.Hspice仿真结果表明,该加固SRAM存储...

微电子学基本信息

刊名	微电子学	主编	武俊齐
曾用名
主办单位	四川固体电路研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1004-3365	CN	50-1090/TN
邮编	400060	电子邮箱	wdzx@sisc.com.cn
电话	023-62834360	网址	wdzx.sisc.com.cn
地址	重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

该刊被以下数据库收录

1.	化学文摘(美)
2.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
3.	文摘杂志(俄)
4.	科学文摘(英)
5.	中国科技论文统计与引文分析数据库