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微电子学期刊
出版文献量（篇）
3955
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21140

微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 1. 混合信号电路的衬底电阻网络模型
    作者： 余志平 张文俊 田洪宇 田立林
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  1-4
    摘要： 通过等效电路数值提取方法,提出了衬底电阻网络模型,该模型具有清晰的物理意义,可获得很好的精度,有利于混合信号电路衬底耦合效应的模拟.将该模型应用于规则和不规则区域的电阻值提取,用Hspice...
  • 2. 高性能IC版图综合中的互连线时延估计模型
    作者： 刘凌志 周骥伟 戎世怡 戎蒙恬
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  5-8
    摘要： 提出了一组适用于高层综合并考虑各种优化技术的互连时延估计模型,包括最优线宽设计(OWS)、缓冲插入和线宽设计(BIWS).同Spice给出的模拟结果相比,它们能够给出准确的估计.该模型的时间...
  • 3. 实现工艺映射的新方法
    作者： 吕宗伟 张镭 林争辉
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  9-11
    摘要： 逻辑综合中,工艺映射是关键的一步.过去,基于树的映射由于其速度快、算法简洁而被广泛使用.但是,将电路结构划分为树,破坏了电路结构,缩小了映射的解空间.双态覆盖(Binate Covering...
  • 4. 射频微机械共面波导开关测试技术研究
    作者： 张正元 张正璠 徐世六 欧益宏 温志渝 肖坤光
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  12-14,18
    摘要： 通过对射频微机械共面波导(CPW)开关的工作原理进行分析,提出了一种测试射频微机械开关的电路结构.根据Cadence工作站的模拟,验证了该方案的可行性,并获得了该测试结构的优化电参数条件,为...
  • 5. 体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现
    作者： 张志勇 海潮和
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  15-18
    摘要： 制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容.
  • 6. 一种通用的电池宏模型
    作者： 杨华中 汪蕙 罗嵘
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  19-21
    摘要： 提出了一种通用的电池宏模型设计方法,该方法简单、灵活,能准确模拟电池的时变非线性电特性和温度特性,并能推广到其它时变系统.用此方法设计的MN1500型电池宏模型经过了电路模拟软件PSPICE...
  • 7. 单元特性提取中采样点偏离现象的研究
    作者： 严晓浪 李伟良 梁中书 罗晓华 葛海通
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  22-25
    摘要： 为使应用于集成电路设计中的单元时序信息库更能反映实际情况,研究了特性提取中出现的采样点分布偏移和格点偏离现象,并提出了有效的解决方法.该方法通过建立查表模型,无需多次重复仿真就能准确定位任意...
  • 8. Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析
    作者： 于军 徐静平 钟德刚 高俊雄
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  26-28
    摘要： 采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究.实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿...
  • 9. 用于一节倒立摆中的模糊控制算法及其FPGA实现
    作者： 王中大 靳东明
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  29-32
    摘要： 采用Xilinx公司的FPGA,实现了单变量推理单元SIRM(Single Input Rule Module)模糊控制算法.设计了以8 位数字模糊控制器为核心的数字电路控制系统,成功地实现...
  • 10. 一种集成电路超大规模线网快速分析算法
    作者： 严晓浪 竺红卫
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  33-36
    摘要： 随着芯片集成度的提高和规模的增大,连线效应已成为影响电路性能的主要因素.对于分析、验证电路线网问题,直接利用常规线性方程组求解算法无法同时满足内存空间与运行时间上的限制.文章分析了Chole...
  • 11. 工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用
    作者： 张文俊 李成 杨之廉 郑期彤 鲁勇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  37-40
    摘要： 工艺综合是一种自顶向下的工艺、器件设计方法.文章通过应用于MOS器件和双极型器件的工艺与器件设计,介绍工艺综合并验证工艺综合思想;介绍了基于工艺综合开发的MOSPAD软件系统.在工艺综合系统...
  • 12. TIGBT的瞬态解析模型
    作者： 张莉 田立林 鲁耀华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  41-45
    摘要： 提出了一种含缓冲层的沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的瞬态解析模型.该模型不仅考虑到TIGBT的高掺杂缓冲层处于小注入状态,分析了缓冲层对TIGBT关断特性的影响,而且还考虑了槽底电子积累...
  • 13. 集成电路芯片的工艺诱生缺陷
    作者： 邹子英 闵靖
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  46-48
    摘要： 调研了三条100～150 mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷.研究表明,这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷,离子注入诱生弗兰克不全位错,薄膜应力和杂质收缩应力引起的...
  • 14. 一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计
    作者： 唐平 成立 李彦旭 董素玲 陈照章 高平
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  49-52
    摘要： 设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路.HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3 V以下,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集...
  • 15. 一种1.25 Gbps CMOS以太网串并/并串转换电路
    作者： 张占鹏 杨莲兴 章奕民 邱祖江 郭亚炜
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  53-55,59
    摘要： 用0.35 μm CMOS工艺实现了单芯片1.25 Gbps千兆以太网串并/并串转换电路.该电路兼容ANSI的光纤信道物理层标准(FC-0).与同类电路相比,其核心单元-并串转换电路和串并转...
  • 16. 16×16位高速低功耗并行乘法器的实现
    作者： 徐锋 邵丙铣
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  56-59
    摘要： 基于0.6 μm双阱CMOS工艺模型,实现了一种高速低功耗16×16位并行乘法器.采用传输管逻辑设计电路结构,获得了低功耗的电路性能.采用改进的低功耗、快速Booth编码电路结构和4-2压缩...
  • 17. 基于计数器实现的加法器自测试
    作者： 于敦山 李兆麟 田泽 盛世敏
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  60-62
    摘要： 文章研究了行波进位加法器和先行进位加法器的测试向量生成,并基于计数器实现了这两种加法器的自测试.实验结果表明,所得的测试向量针对不同的目标工艺均可以实现被测加法器的100%故障覆盖率,且测试...
  • 18. 一种节拍器专用集成电路的设计
    作者： 卢友梅 邓先灿
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  63-66
    摘要： 节拍器专用集成电路能够精确产生音乐节拍.它主要由控制模块和驱动模块组成,根据用户的不同要求,由控制模块精确计算节拍速率,并控制节拍的声音;驱动模块则动态驱动液晶,使节拍速率和节拍音符在显示屏...
  • 19. 一种适于Rail-to-Rail输入的2.5 V CMOS模拟采样电路
    作者： 周玉梅 易金刚 薛庆华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  67-70
    摘要： 文章分析了影响低压CMOS采样电路性能的主要因素,设计了一种适合在2.5 V电源下工作的CMOS自举开关采样电路.其输入信号的动态范围为0～2.5 V,并给出了0.6 μm标准CMOS工艺条...
  • 20. 边界扫描测试电路的设计
    作者： 刘洪民 吴德馨 王孜
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  71-73,77
    摘要： 讨论了边界扫描测试电路的设计方法和电路的基本结构,并针对光纤通信系统中的32:1时分复用芯片设计了边界扫描电路,给出了模拟结果.
  • 21. 一种新型5 V大功率开关稳压电源
    作者： 李文
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  74-77
    摘要： 简单介绍了TOP249Y单片开关电源控制电路的内部结构及原理,利用TOP249Y,设计了一种新型5V、大功率开关稳压电源.
  • 22. 智能照明系统的研制与开发
    作者： 刘敢峰 吴明光 谢锋
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年1期
    页码:  78-80
    摘要： 文章介绍了智能照明系统的工作原理、性能指标、通讯协议,重点叙述了系统的核心部分主控模块的硬件及软件设计.
  • 23. 基于VHDL-AMS的模拟系统的行为级模拟算法与实现
    作者： 叶以正 李滨 肖立伊 郑赟 黄国勇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  81-85，89
    摘要： 针对基于VHDL-AMS的模拟系统的行为级模拟领域里两类关键的技术问题:行为级模拟速度问题和中断(BREAK)语句的中断列表处理问题,提出了有效的Jacobian矩阵构造方法、矩阵方程求解算...
  • 24. SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型
    作者： 何林 吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡永贵 胡辉勇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  86-89
    摘要： 在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGe HBT的基区渡越时间模型.该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度.模拟分析结果表明,与Si BJT...
  • 25. 深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究
    作者： 颜志英
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  90-93
    摘要： 当器件尺寸进入深亚微米后,SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视.通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析了这两种器件...
  • 26. 对偶基上改进CDPD系统RS编解码器的实现
    作者： 张璠 戎蒙恬 毛军发 董威
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  94-97
    摘要： 以蜂窝数字分组数据系统(CDPD)中的RS(63,47)码为例,提出了一种建立在伽罗华域(Galois Fields)对偶基乘法器基础上的改进的Reed-Solomon编解码器.针对CDPD...
  • 27. 基于SOC典型结构的系统验证环境
    作者： 严晓浪 何乐年 张宇弘 汪乐宇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  98-101
    摘要： IP集成已经成为SOC的主要设计方法,但是IP间的不兼容性和冲突带来了SOC设计的大量问题.文章给出了一种基于IP总线的SOC标准架构,并在这一架构上建立了系统验证环境.该验证环境利用现有的...
  • 28. CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应
    作者： 任迪远 余学锋 张军 郑毓峰 郭旗 陆妩
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  102-104，117
    摘要： 介绍了CMOS运算放大器经60Co γ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析,探讨了引起电路"后损伤"效应的原因.结果表明,由...
  • 29. 一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件
    作者： 何杞鑫 姚云龙 方邵华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  105-108
    摘要： 高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展.文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMO...
  • 30. 金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究
    作者： 张利春 陈金凌 高玉芝
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  109-112
    摘要： 用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量.对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

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1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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