微电子学期刊
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140

微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
文章浏览
目录
  • 作者: 刘伦才 张正璠 李儒章 王若虚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  473-476
    摘要: 从理论分析角度介绍了优化SiGe异质结晶体管速度的方法.结合双板晶体管的工艺限制,介绍了SiGe HBT的基本原理,讨论了SiGe HBT的发射区/基区/集电区设计.最后,以一个100 GH...
  • 作者: 卢凉 杜平安 黄志奇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  477-479,484
    摘要: 微机电系统(MEMS)的计算机辅助设计(CAD)是MEMS实现商品化的重要基础.文章介绍了MEMS CAD的概况和技术特点,提出了一种MEMS CAD的典型体系结构和MEMS建摸与模拟的层次...
  • 作者: 李跃进 杨银堂 柴常春 韩军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  480-484
    摘要: 分析了n沟6H-SiC MOSFET的杂质不完全离化和SiO2-SiC界面存在大量界面陷阱等问题,研究了影响6H-SiC MOSFET器件阈值电压温度特性的诸因素.通过解析式计算和MEDIC...
  • 作者: 刘明 徐秋霞 殷华湘 王云翔
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  485-489
    摘要: 为了在体硅CMOS FinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形,研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术;详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、显影时间、设计...
  • 作者: 严杰锋 林茵殷 汤庭鳌 程旭
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  490-494,498
    摘要: 提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的.文章在采用传统2T-2C结构的铁电存储单元的基础上完成数据...
  • 作者: 吴勇 吴思和 张艳玲
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  495-498
    摘要: 文章主要介绍了小型卫星地面站(VSAT,Very Small Aperture Terminal)中的室外单元(ODU,Outdoor Unit)控制器的通信模块设计.VSAT是控制卫星通信...
  • 作者: 严晓浪 李星 葛海通
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  499-501,505
    摘要: 在集成电路设计过程中,随着设计规模的不断增大,验证和故障诊断日趋重要.文章首先介绍了SOC形式验证中故障诊断的概念和思想,然后分别讨论了两类故障诊断法:模拟诊断法和符号诊断法.
  • 作者: 徐科 杨雪飞 米柯嘉 闵昊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  502-505
    摘要: 随着ASIC技术的不断发展,设计规模及复杂程度不断增加,前端设计的准确性对整个系统的重要性越来越大.因此,在前端设计中,除了进行软件仿真外,还需要进行硬件验证.文章采用Aptix公司提供的M...
  • 作者: 刘颖 戎蒙恬 翁健杰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  506-508
    摘要: 介绍了通过同时插入缓冲器和优化线宽达到互连线时延最小化的方法.为了同时插入缓冲器、优化缓冲器尺寸和优化线宽,可以扩展MASM(改进激活集合法)算法.计算结果表明,该算法非常有效.
  • 作者: 庄奕琪 杜磊 胡净 陈曦
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  509-512
    摘要: 热载流子效应(HCE)、电介质击穿、静电放电,以及电迁移等失效机理,已经对VLSI电路的长期可靠性造成了极大的威胁.其中,热载流子效应是最主要的失效机理之一.影响CMOS电路热载流子效应的因...
  • 作者: 方健 李泽宏 李肇基 杨舰 龙远东
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  513-516
    摘要: 文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阈值电压的解析模型,给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法;分析了边缘效应对氧化层电容的影响,借助电荷共享模型,建立了反映非均匀沟道中...
  • 作者: 朱自强 李小进 石艳玲 赖宗声
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  517-520
    摘要: 文章系统地研究了微波无源低通滤波器的设计原理及其设计方法.根据网络综合法,设计出了一个-3 dB截止频率为1.2 GHz的2阶低通无源滤波器,其器件参数C1、L1、C2分别为2.56 pF、...
  • 作者: 肖立伊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  521-526
    摘要: IP复用是SOC设计的关键技术.为解决IP在SOC上的易集成性等问题,需要建立统一的标准和规范,因此,IP复用的基础是IP的标准化设计.文章介绍了国际上IP联盟/组织及IP标准的制定情况,研...
  • 作者: 徐秋霞 林钢
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  527-530,533
    摘要: 和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等.文章主要介绍了五种典型的新...
  • 作者: 吴健 张正元 杨国渝 税国华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  531-533
    摘要: 介绍了一种适合制作SOI全介质隔离电路的平坦化技术.该技术采用外延多晶硅回填隔离槽,并结合化学机械抛光,使SOI全介质隔离完成后形成的表面能达到单晶硅抛光材料的水平.该工艺适合制作某些具有特...
  • 作者: 庞科 张生才 李树荣 李育刚 胡泽军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  534-536,540
    摘要: 介绍了一种8位高速单片机的电路实现.该单片机采用哈佛结构、指令流水线、双数据总线、组合逻辑微控制器、进位链结构及机器周期为两倍时钟周期等方法,使设计的单片机在晶振为20 MHz的条件下,每秒...
  • 作者: 侯朝焕 单睿 张卫新
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  537-540
    摘要: VLIW体系结构是媒体处理器的首选技术.解决处理器内核与访存之间的数据瓶颈,可以采用双Load/Store单元.为此,需要开发具有双端口访问能力的数据高速缓冲存储器.通过分析双端口情况下的系...
  • 作者: 倪学文 吕志军 莫邦燹 项斌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  541-544,549
    摘要: 介绍了一种带宽可调的二阶低通开关电容滤波器,带宽调节范围为100~500 Hz,调节精度约为100 Hz.该滤波器用双层金属、双层多晶硅1.2 μm的N阱MOS工艺实现,用于一个加速度传感器...
  • 作者: 曾莹 李瑞伟 邱国良
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  545-549
    摘要: 文章提出了一种通过集总参数电路对ESD保护结构进行模拟的方法.利用HSPICE电路模拟软件,对ESD保护结构进行了集总参数模拟,获得了保护结构在ESD事件中的功率和温度分布.
  • 作者: 任俊彦 叶凡 嵇楚 许俊
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  550-553
    摘要: 介绍了一种具有轨对轨输入功能的CMOS输入级电路.该电路克服了一般运算放大器只能工作在一定共模输入范围的输入级的缺陷,在各种共模输入电平下有着几乎恒定的跨导,使频率补偿更容易实现,且由于其工...
  • 作者: 周宇 孙承绶 徐科 杨青松
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  554-557
    摘要: 随着集成电路系统的规模和复杂性的不断提高,基于IP核的SOC系统的设计已被广泛采用.与此同时,电路测试的难度不断增大,对电路的可测性设计也提出了更高的要求.文章介绍了应用于嵌入式系统的16位...
  • 作者: 刘峰 周荣政 洪志良 陈学峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2003年6期
    页码:  558-561
    摘要: 提出了一种JPEG标准推荐的2-D DCT/IDCT的改进型Loeffler算法的ASIC实现.该设计采用硬件复用的方法,在正向和反向变换过程中使用同一运算电路,达到了面积优化的目的;并对输...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

期刊荣誉
1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

微电子学统计分析

被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊