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微电子学期刊
出版文献量（篇）
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21140

微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 1. 基于VHDL-AMS的模拟系统的行为级模拟算法与实现
    作者： 叶以正 李滨 肖立伊 郑赟 黄国勇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  81-85，89
    摘要： 针对基于VHDL-AMS的模拟系统的行为级模拟领域里两类关键的技术问题:行为级模拟速度问题和中断(BREAK)语句的中断列表处理问题,提出了有效的Jacobian矩阵构造方法、矩阵方程求解算...
  • 2. SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型
    作者： 何林 吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡永贵 胡辉勇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  86-89
    摘要： 在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGe HBT的基区渡越时间模型.该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度.模拟分析结果表明,与Si BJT...
  • 3. 深亚微米SOI MOSFET低压热载流子效应研究
    作者： 颜志英
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  90-93
    摘要： 当器件尺寸进入深亚微米后,SOI MOS集成电路中的N沟和P沟器件的热载流子效应引起的器件退化已不能忽视.通过分别测量这两种器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系,分析了这两种器件...
  • 4. 对偶基上改进CDPD系统RS编解码器的实现
    作者： 张璠 戎蒙恬 毛军发 董威
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  94-97
    摘要： 以蜂窝数字分组数据系统(CDPD)中的RS(63,47)码为例,提出了一种建立在伽罗华域(Galois Fields)对偶基乘法器基础上的改进的Reed-Solomon编解码器.针对CDPD...
  • 5. 基于SOC典型结构的系统验证环境
    作者： 严晓浪 何乐年 张宇弘 汪乐宇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  98-101
    摘要： IP集成已经成为SOC的主要设计方法,但是IP间的不兼容性和冲突带来了SOC设计的大量问题.文章给出了一种基于IP总线的SOC标准架构,并在这一架构上建立了系统验证环境.该验证环境利用现有的...
  • 6. CMOS运算放大器电离辐照的后损伤效应
    作者： 任迪远 余学锋 张军 郑毓峰 郭旗 陆妩
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  102-104，117
    摘要： 介绍了CMOS运算放大器经60Co γ辐照及辐照后在不同温度下随时间变化的实验结果,并通过对差分对单管特性和电路内部各单元电路损伤退化的分析,探讨了引起电路"后损伤"效应的原因.结果表明,由...
  • 7. 一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件
    作者： 何杞鑫 姚云龙 方邵华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  105-108
    摘要： 高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展.文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMO...
  • 8. 金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究
    作者： 张利春 陈金凌 高玉芝
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  109-112
    摘要： 用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量.对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样...
  • 9. 一种新颖的集成电路版图验证方法
    作者： 朱以南 林争辉 汤炜 肖世红
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  113-117
    摘要： 版图验证是集成电路设计的瓶颈之一.文章全面系统地阐述了超大规模集成电路LVS版图验证的原理、方法和基本的流程,着重介绍了基于Dracula开发的CMOS、Bipolar和ABCD(Advan...
  • 10. 外延淀积过程中的自掺杂抑制
    作者： 侯宇 李智囊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  118-120，123
    摘要： 外延层杂质浓度是影响器件电学性能的重要参数.文章对外延淀积过程中自掺杂的产生过程进行了分析,提出了在外延淀积过程中可以通过改变气流、温度及采用背封技术、二步外延等方法来解决外延自掺杂,从而改...
  • 11. 集成电路内部水汽含量的控制
    作者： 王林 赵宇军 邵卫平 黄先奎
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  121-123
    摘要： 简要叙述了集成电路封装内部水汽的形成;指出集成电路封装内部水汽主要是由封装环境气氛中的水份以及封装管壳和芯片表面吸附的水汽所造成的;论述了内部水汽引起集成电路电性能的退化,从而影响集成电路的...
  • 12. 提高粒子碰撞噪声检测试验可靠性的途径
    作者： 林萍 韩闯
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  124-126
    摘要： 文章从粒子碰撞噪声检测(PIND)试验的原理入手,着重阐述了影响PIND试验的因素和提高PIND试验可靠性的途径.通过对PIND试验的波形分析来提高PIND试验的可靠性,使试验数据更客观、准...
  • 13. Si1-x-yGexCy合金半导体技术及其应用
    作者： 安涛 祁慧 高勇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  127-131
    摘要： 随着半导体材料及工艺水平的迅速发展,Si1-x-yGexCy合金材料在近年内受到了广泛重视.C组分的引入所带来的应变补偿作用,很好地解决了Si1-xGex合金中的晶格失配问题,使Si衬底上生...
  • 14. 电压反馈和电流反馈运算放大器的比较
    作者： 庞佑兵 梁伟
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  132-135，139
    摘要： 从闭环特性、开环特性、输入级、噪声等几个方面, 对电流反馈(CFB)放大器和电压反馈(VFB)放大器进行了详细的比较,得出了CFB放大器和VFB放大器的一些基本特性和应用场合.通过对这两种电...
  • 15. 一种高效率低功耗开关电源的实现
    作者： 李林森 林争辉 胡黎强
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  136-139
    摘要： 传统的PWM控制方式的开关电源芯片采用固定的工作频率,导致低负载工作状况下效率明显降低.提出了一种根据负载变化自动改变工作频率的脉频调制方式,该方式可大大提高芯片在低负载工作时的效率.采用脉...
  • 16. 一种改进的能量回收逻辑电路
    作者： 周润德 戴宏宇
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  140-143，147
    摘要： 文章分析了能量回收电路的功耗组成,指出非绝热损失是能量回收电路的主要功耗能量来源,提出了一种改进的能量回收逻辑电路IERL.IERL电路增加了额外的回收路径,能够显著降低电路的非绝热损失,H...
  • 17. 一种高可靠小功率混合集成DC/DC变换器的设计
    作者： 张小林 李贤云 樊川
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  144-147
    摘要： 随着电子系统的供电方式从集中式向分布式的发展,高可靠小功率混合DC/DC变换器成为电子电源的一个重点发展方向.文章介绍了一种高可靠小功率混合集成DC/DC变换器的电路设计和工艺设计,并给出了...
  • 18. 一种高性能Σ-Δ A/D转换器的设计
    作者： 冯晖 林争辉 秦毅男
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  148-150
    摘要： 对于传统的Σ-Δ A/D转换器(ADC),其信噪比(SNR)随输入信号强度的减小而降低.文章根据自适应理论提出了一种自适应Σ-Δ ADC的解决方案及相应的电路实现.该电路设计充分考虑了在电路...
  • 19. 8VSB芯片的层次式设计方法
    作者： 何杞鑫 张明 朱昕荣 郑伟 韩晓霞
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  151-153
    摘要： 提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法,并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图.实例设计结果表明,该方法在节约面积、加速时序收敛方面效果明显,大大缩短了芯片设计周期.
  • 20. 一种新型CISC微处理器指令译码设计方法
    作者： 宁兆熙 居晓波 李志斌 王永流 程君侠
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  154-156
    摘要： 文章在介绍Gray码和独热编码设计CISC微处理器指令译码单元的基础上,提出了一种全新的指令译码状态机设计方案--状态分拆方法,该方法可提高指令译码状态转换速度.对几种设计方法进行了横向比较...
  • 21. 一种高精度CMOS能隙基准电压源
    作者： 严晓浪 冀学美 吴晓波 孙顺根 王旃
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  157-159
    摘要： 设计了一种采用0.6 μm CMOS数字工艺的高精度能隙基准电压源.它具有结构简单、性能优异的特点,该电压源主要用于智能电源控制器,其温度系数可达15 ppm/°C,输出电压变化率仅为18 ...
  • 22. 一种快速电压变换器的研制
    作者： 孟华群 羊庆龄
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  160-162
    摘要： 介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计.该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50 ns的输入输出延迟时间.该电路可广泛应用于GaAs FET功率放大器的控制电路中.
  • 23. 一种530 MHz低功耗锁相倍频集成电路的研制
    作者： 于宗光 樊子宇 沈锋 田津 蔡浒 赵天鹏
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  163-165
    摘要： 为适应星载测控系统小型化、集成化和低功耗的需要,根据国内集成电路工艺条件,设计并制作了一种特高频锁相倍频集成电路.其最高工作频率大于530 MHz,功耗小于60 mW.介绍了该集成电路的电路...
  • 24. 突变反型异质结及其双极晶体管的研制
    作者： 张静 杨虹
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  166-168
    摘要： 文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究.同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺,并给出了测试结果.
  • 25. TOPSwitch集成电路在DC/DC电源设计中的应用
    作者： 余海生 刘健 蔡建荣
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  169-172
    摘要： 文章介绍了PWM/MOSFET二合一的TOPSwitch系列集成电路及其在DC/DC电源设计中的应用,还介绍了基本反馈方式的DC/DC拓扑结构及其改进措施,并对由TOPSwitch集成电路构...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中文核心期刊
2. 信息产业部优秀电子科技期刊

微电子学统计分析

被引趋势
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