论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 微电子学期刊 >
微电子学2008年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
分享
投稿
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要：
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要：
-
3. 自强不息刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要：
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 回顾了二十四所射频及模拟放大器集成电路专业方向的发展历程,并对未来发展进行了展望.按不同历史阶段,介绍了二十四所在集成运算放大器/比较器、中频/视频线性/非线性放大器、MMIC、集成射频放大...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 回顾了中国电子科技集团公司第二十四研究所各类模拟/混合信号集成电路设计/测试技术的发展历程,简述了二十四所照相制版和计算机辅助设计等从无到有的历程;最后,对二十四所集成电路设计、测试技术未来...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 回顾了二十四所混合集成电路专业方向的发展历程.按不同历史阶段,介绍了二十四所混合集成电路二十余年的技术进步轨迹和所取得的主要成就;最后,对二十四所混合集成电路未来的发展前景进行了展望.
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料.详细介绍了SOI在半导体技术领域中的应用,以及近年来为满足SOI的特殊应用要求研发的多种SOI新材料及其制备技术;综述了绝缘体上应变硅(sS...
-
10. 延伸摩尔定律的应变硅技术刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 应变硅已成为延伸摩尔定律(Moore's Law)的重要技术手段之一.综述了应变硅技术的发展及趋势.首先,从物理理论上分析了应变对硅沟道迁移率的影响;然后介绍了现有的各种应变硅技术;最后,分...
-
11. CMOS带隙基准源研究现状刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流.简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PS...
-
12. 一种12位D/A转换器的技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了一种12位带内基准的电压输出型D/A转换器的电路实现原理、线路设计及其制作工艺特点.通过采用优化设计的R-2R电阻开关网络、温度补偿齐纳基准源和带JFET输入级的输出运算放大器等模拟电...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型.在假定条件成立时,推导出器件二维模型导通电阻自限制公式,得出了具有埋层结构的集成大功率器件结构其比导通电阻是随着面积不断增大的结论...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT)MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响.结果表明,通过调整...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 通过合理简化和改进MEXTRAM模型,提出了一种优化的SiGe HBT集约模型和参数提取方法;精确提取了一组微波SiGe HBT的模型参数.仿真结果与测试数据的相对误差不超过3%.
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 提出了一种有效的方法-采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性.为了对分段结构进行精确的热分析,针对器件多层结构的特点,建立起适当的热模型,模型中充分考虑了各个部分的热阻....
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了一种应用于片上系统超高速4位快闪式A/D转换器的设计.该转换器采用0.18 μm CMOS工艺.其特点是采用一种基于反相器的阈值电压比较器(TIQ)阵列替代传统Flash结构中的模拟电...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 通过TEM、SEM、XRD和EBSD,观察了Cu互连线和平坦Cu膜的微观结构.采用薄膜应力测试分布仪和二维面探测器XRD,测量了平坦Cu膜和Cu互连线的应力,计算了Cu薄膜热应力的理论值.凹...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 针对SiGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(X...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 三相单开关功率因数校正器在硬开关下,由于其谐波失真率(THD)较大而使功率等级受到限制.通过谐波注入技术调制占空比,在不连续导通模式(DCM)下对输入电流进行功率因数校正(PFC),获得了极...
-
21. 金属栅薄膜全耗尽器件研究刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 实验并研究了采用金属栅工艺的全耗尽SOI MOS器件.采用LDD结构,以减小热载流子效应,防止漏击穿;采用突起的源漏区,以增加源漏区的厚度,并减小源漏区的串联电阻,以增强器件的电流驱动能力,...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 采用粘塑性本构Anand方程描述SnPb钎料的变形行为,用有限元方法对CBGA组件焊点结构进行二维模型分析;同时,选用不同的基板材料(Al2O3、AlN、SiC),考察焊点在热循环加载过程中...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 通过分析DC/DC变换器过流和短路两种工作状态的联系和区别,以及对器件自身和所在系统可靠性的影响,明确了在DC/DC变换器设计中,应针对过流和短路分别进行保护设计,才能有效地提高器件的可靠性...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 基于复合运放,设计了一款新颖的线性锂离子电池充电器.该充电器根据锂离子电池充电的特性,采用三阶段充电法,即涓流充电(预处理),恒流充电(快充),恒压充电(充满).仿真结果显示,在4.5 V电...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了一种可以进行双采样的10 位50 MS/s采样保持电路.该电路采用SMIC 0.25 μm标准数字CMOS工艺进行设计.基于BSIM3V3 Spice模型,采用Hspice对整个电路进...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 设计了一种用于测量系统的20位精度带通Σ-Δ调制器.采用低失真离散时间单环4阶1比特量化结构,以实现高精度的指标.对带通调制器中最关键的模块-谐振子进行了研究,设计了一种对电容非线性和失配不...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 详细分析了影响高精度流水线A/D转换器性能的主要误差,并用数学表达式来具体描述.这些误差是模块噪声、恒定余量增益误差、非恒定余量增益误差、放大器不完全建立误差.在误差分析的基础上,研究了系统...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 实施一种新的解决方案,将能输出模拟余量A2的独特ADC+应用于各类A/D转换器芯片,以构成性能扩展的复合A/D转换器.该ADC+是折叠式2位40 MSPS A/D转换器,应用于分级流水结构的...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 分析了参考电压精度对流水线A/D转换器性能的影响,并通过Matlab建模仿真,得到了12位流水线A/D转换器对参考电压精度的要求,即参考电压精度要达到10位以上.提出了一种新型的参考电压缓冲...
-
刊名： 微电子学发表期刊： 2008年1期页码:摘要： 介绍了一种新型低抖动快速锁定时钟稳定电路.该电路通过检测输入时钟信号的上升沿,产生一个尖峰脉冲和一个精确延迟半个周期的尖峰脉冲,共同组成一个稳定的低抖动时钟.该电路采用0.35 μm标准CM...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
微电子学统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
