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高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化
高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化
作者:
刘道广
李德斌
梁仁荣
许军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
绝缘层上应变硅
动态阈值
MOSFET
台阶掺杂
摘要:
采用二维数值模拟的方法,研究了纳米尺度栅长的绝缘层上应变硅(SSOI)动态阈值(DT)MOSFET的特性,全面分析了台阶型沟道掺杂分布和沟道长度对器件开态和关态特性的影响.结果表明,通过调整轻掺杂的表面沟道和重掺杂的体杂质分布,DT SSOI器件能在较低的电源电压下实现比非DT器件更优的性能,同时不会造成明显的器件关态漏电.从实验结果可以预测,相对于非DT器件而言,DT器件在性能上的这种优势能够保持到32 nm栅长的技术节点.
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文献信息
篇名
高性能绝缘层上应变硅动态阈值MOSFET的设计优化
来源期刊
微电子学
学科
工学
关键词
绝缘层上应变硅
动态阈值
MOSFET
台阶掺杂
年,卷(期)
2008,(1)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
72-75,80
页数
5页
分类号
TN386
字数
2211字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘道广
清华大学微电子学研究所
12
53
4.0
7.0
3
许军
清华大学微电子学研究所
32
200
7.0
13.0
6
梁仁荣
清华大学微电子学研究所
10
43
4.0
6.0
7
李德斌
清华大学微电子学研究所
1
2
1.0
1.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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引证文献(1)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
绝缘层上应变硅
动态阈值
MOSFET
台阶掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
主办单位:
四川固体电路研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号24所
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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