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微电子学期刊
出版文献量（篇）
3955
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21140

微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
出版文献量（篇）
3955
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21140
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  • 1. 适于流水线结构的改进FIPS算法及其实现
    作者： 白国强 谷荧柯 陈弘毅
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  609-613
    摘要： 分析了基于FIPS的乘加器结构的VLSI实现随着操作数宽度的变化,速度和面积的变化趋势; 提出了一种改进FIPS算法,解决了采用流水线结构的数据通路导致的数据迟滞问题.在SMIC 0.18 ...
  • 2. 16位音频ADC非理想型Σ-Δ调制器的建模
    作者： 徐振 李向文 臧佳锋 顾晓峰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  618-621
    摘要： 对一款适于16位音频A/D转换器的Σ-Δ A/D调制器进行了系统级设计,考虑了影响调制器性能的各种非理想因素,建立了一整套噪声模型,并进行了仿真分析.将仿真结果与未考虑非理想因素的结果进行比...
  • 3. 9位50 MSPS流水线结构A/D转换器研究
    作者： 洪岳炜 王百鸣
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  622-624,629
    摘要： 提出了一个采用三级流水线技术的9位50 MSPS A/D转换器,具体分析了其内部结构,给出了在OrCAD/PSpice 10.5下的仿真结果和动态测试结果;对设计流水线A/D转换器的关键问题...
  • 4. 指纹识别专用集成电路中乘法器模块的设计
    作者： 崔建明 李小进 赖宗声 陈文斌
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  625-629
    摘要： 介绍了一种用于指纹识别专用集成电路(ASIC)的乘法器模块的设计.该乘法器模块能够处理32位的有符号数、无符号数的乘法和乘加运算.电路采用基-4的Booth编码以及改进型压缩器阵列结构.采用...
  • 5. 基于布朗运动的分段式电流舵DAC成品率研究
    作者： 傅文渊 王向展
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  630-632,636
    摘要： 根据随机过程布朗运动理论,基于分段式电流舵D/A转换器的积分非线性概率密度,建立了积分非线性误差(INL)和D/A转换器分段比的数学模型,获得电流源失配对芯片成品率影响的近似公式,并通过蒙特...
  • 6. 深亚微米工艺下芯片的差分静态电流测试分析
    作者： 刘婧 曹福全 温秀芝 甘甜 石艳玲 陈哲
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  633-636
    摘要： 在分析深亚微米工艺下芯片的差分静态电流(ΔIddq)测试原理的基础上,提出了一套深亚微米工艺下芯片的ΔIddq辅助测试解决方案.通过样本芯片,检验了ΔIddq测试方法的有效性;并根据检验结果...
  • 7. 基于真实密码电路的功耗分析攻击研究
    作者： 刘政林 李元 邹雪城 陈毅成 韩煜
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  637-641
    摘要： 采用Atmel AT89C55微控制器,构建真实的密码电路攻击平台:在此低成本平台上,对微控制器指令的操作码和操作数进行了功耗分析实验.测量结果显示,运算中操作数变化的汉明权重与测量功耗差值...
  • 8. 0.35 μm SiGe BiCMOS 3.1～10.6 GHz超宽带低噪声放大器
    作者： 华明清 唐万春 王贵
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  642-646
    摘要： 基于AMS 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种应用于3.1～10.6 GHz频段的超宽带低噪声放大器;采用多个反馈环路,实现超宽带范围内的阻抗匹配以及低噪声性能;详细分析...
  • 9. ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模
    作者： 刘瑶 姚若河 高英俊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  647-651
    摘要： 基于ESD应力下GGNMOS的工作特性,从GGNMOS的内部物理过程,推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型,并给出了相应的参数提取方法;实现了输入工艺参数等到模型中,即可仿真GGNM...
  • 10. 基于混合遗传算法的输入向量控制漏电优化
    作者： 刘勇攀 杨华中 汪蕙 田志新
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  652-655,673
    摘要： 提出了一种用于输入向量控制漏电优化的混合遗传算法.该算法首先根据输入信号对电路泄漏功耗的不同影响,将其划分为关键输入信号和非关键输入信号;接着将输入向量空间划分为子空间,混合遗传算法对子空间...
  • 11. 一种基于跨导电流比-反型系数-过驱动电压的设计方法
    作者： 吴贵能 周玮 李儒章
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  656-659,678
    摘要： 提出了一种基于MOSFET反型系数(Inversion Coefficient)且适合于MOSFET工作在任何反型区的模拟集成电路的设计方法.对于一定工艺的深亚微米模拟集成电路,结合查表法进...
  • 12. SiGe材料的组分表征研究与退火分析
    作者： 冯世娟 李秋俊 田岗纪之 财满镇名
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  660-662,683
    摘要： 采用固相扩散法在n-Si (100) 衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜.利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性.分析了退...
  • 13. 高压互连线的Galerkin边界元法
    作者： 乔明 方健 蒋华平
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  663-665,687
    摘要： 针对有限元法难以处理求解区域具有奇异边界的边值问题和计算量相对较大的不足,采用常单元离散形式的Galerkin边界元法处理简化的二维高压互连线问题.在计算系数矩阵元的奇异二重积分时,采用解析...
  • 14. 带基波放大器的前馈功率放大器设计
    作者： 刘宁波 陈冠 陈向东
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  666-669
    摘要： 在前馈双环功率放大器系统中,"Loop2"对误差信号放大器增益的要求很高,且误差信号放大器对系统的输出增益没有贡献.针对上述问题,提出了一种改进方法,在"Loop1"中加入一个基波放大器,以...
  • 15. 基于90 nm CMOS工艺的12 GHz二分频器
    作者： 周春元 喻学艺 张春 李国林 李宇根 王志华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  670-673
    摘要： 采用90 nm CMOS工艺,实现了一个基于电流模式逻辑的12 GHz二分频器.该分频器具有很宽的锁定频率范围(1～12 GHz),在输入信号频率为8 GHz时,输入灵敏度达到-30 dBm...
  • 16. 低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计
    作者： 叶甜春 王良坤 马成炎
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  674-678
    摘要： 设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器.基于对有源混频器的噪声机制的物理理解,电路中采用了噪声消除技术,以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声,并引入一个额外...
  • 17. 一种3 V 13位40 MHz低功耗采样/保持电路
    作者： 应建华 王文平
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  679-683
    摘要： 设计了一种3 V 13位40 MHz低功耗采样保持电路.该电路采用带增益提高的全差分折叠式共源共栅运算放大器,满足高速高精度的要求;同时,采用带哑元补偿管的栅压自举开关,减小了采样开关带来的...
  • 18. 一种新颖的自偏置有源负载放大器
    作者： 桑红石 钱江 陈嘉
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  684-687
    摘要： 利用自偏置电流源闭环反馈改变开环电阻的特性,设计了一种自偏置有源负载运算放大器,实现了低功耗、高开环增益、低输入失调的性能;并将此运算放大器应用于带隙电压源中.电路在德国XFAB公司XB06...
  • 19. 一种片上集成低压高精度电流检测电路
    作者： 姜梅 张兴 王新安 陈红英 马新文
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  688-690,696
    摘要： 提出了一种应用于电流模PWM DC-DC转换器的片上集成电流检测电路.它利用检测电阻和检测晶体管的结合,实现电感电流的检测;同时,在I-V转换电路中,运用结构简单的电流镜连接的共栅放大器实现...
  • 20. 具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器的设计
    作者： 刘莉 杨银堂 柴常春
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  697-702
    摘要： 设计了具有温度稳定性的SiC CMOS运算放大器.根据所希望的IDSat(ZTC)和任一节点泄漏电流为零的原则设计偏置电路;输入采用差分输入,同时按照泄漏电流匹配的原则,合理选取Dcomp的...
  • 21. 基于固定电压法的太阳电池MPPT系统
    作者： 吴晓波 葛丽芳 赵梦恋
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  703-707
    摘要： 针对太阳电池的输出特性随环境变化的特点,为提高电池的输出功率和系统效率,提出一种基于固定电压法的太阳电池最大功率点跟踪 (maximum power point tracker, MPPT)...
  • 22. 单片UHF RFID 阅读器中VCO及其预分频器设计
    作者： 张润曦 景为平 谢传文 赖宗声 陈子晏 陈磊 马和良
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  708-712
    摘要： 提出了一种应用于860～960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的低相位噪声CMOS压控振荡器(VCO)及其预分频电路.VCO采用LC互补交叉耦合结构,利用对称滤波技术改善相...
  • 23. 短波长OEIC光接收机前端设计及制作
    作者： 刘霖 叶玉堂 焦世龙 王昱琳 范超 陈堂胜 陈辰 陈镇龙
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  713-717
    摘要： 基于国内的材料和工艺技术,研制出850 nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等.对光探测器和电路分别进行了研究和优化.通过Silv...
  • 24. 一种60 GHz LNA电路及其匹配网络的设计
    作者： 徐雷钧
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  718-721
    摘要： 从晶体管器件模型出发,对两种常用的LNA电路结构进行了分析,提出了一种60 GHz LNA电路结构.该电路使用级间电感匹配的方式,可以有效地提高电路的增益并降低噪声;同时,结合先进的生产工艺...
  • 25. 一种多模式降压型DC-DC变换器的分析与设计
    作者： 吴晓波 娄佳娜 安鸿峰 陈海
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  722-726
    摘要： 为提高轻载下DC-DC变换器的效率,设计了一种降压型多模式DC-DC变换器控制芯片.其特点是在不同负载条件下采用不同的工作模式:在重、中载条件下采用脉宽调制(PWM),轻载条件下采用Burs...
  • 26. 低电压Σ-Δ调制器关键技术及设计实例
    作者： 刘爱荣 孔耀辉 杨华中
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  727-730
    摘要： 介绍了低电压开关电容Σ-Δ调制器的实现难点及解决方案,并设计了一种1 V工作电压的Σ-Δ调制器.在0.18 μm CMOS工艺下,该Σ-Δ调制器采样频率为6.25 MHz,过采样比为156,...
  • 27. ZVS开关电源中的谷底检测电路设计
    作者： 吴晓波 宗强 郝炳贤 陈海
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  735-739
    摘要： 基于反激式DC-DC变换器拓扑,设计了一种精确的谷底检测电路,可以在比较宽的频率范围内检测到电压谷底.同时,为解决高频谐振条件下器件延时给检测精度带来的影响,引入一个迟滞比较器,通过调节其迟...
  • 28. SOC用400～800 MHz锁相环IP的设计
    作者： 吕英杰 张小兴 戴宇杰 樊勃
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  743-747
    摘要： 设计了一个基于锁相环结构、可应用于SOC设计的时钟产生模块.电路输出频率在400～800 MHz,使用SMIC 0.18 μm CMOS工艺进行流片.芯片核心模块工作电压为1.8 V和3.3...
  • 29. 一种高精度低功耗CMOS RC振荡器
    作者： 武岳山 殷少飞 熊立志 王振华
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  748-751,756
    摘要： 一般情况下,RC振荡器利用电阻电容充放电时延产生振荡,所产生的频率受电源电压、环境温度,以及组成振荡器的各种元器件的电学特性的影响较大.文章提出一种可大大降低上述各种因素影响的高精度CMOS...
  • 30. 低功耗电荷泵可编程增益放大器的设计与实现
    作者： 孟新 莫太山 马成炎
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2008年5期
    页码:  752-756
    摘要： 提出了一种低功耗电荷泵可编程增益放大器(PGA)电路模型.通过简单数学建模和VerilogA仿真,得出了一般自动增益控制电路(AGC)优化稳定时间的条件和简化模型,通过ADC、电荷泵,进一步...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

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