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微电子学2008年第6期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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21140
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具.分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 针对热激励谐振型压力传感器在不同激励电压下会产生不同的热梯度场,进而影响传感器的谐振频率这一现象,采用开环测试系统进行试验,得到热激励谐振型压力传感器的热激励幅度与谐振频率的变化规律;并对实...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应用于WL...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 在专用集成电路高层次综合中,功能流水线是提高算法描述执行速度的关键技术.针对时间约束和资源约束的两类行为综合功能流水线调度问题,提出了一种基于蚁群优化(ACO)的调度算法.LB-ACO算法将...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出了一种基于电流模式的算法型A/D转换器电路结构,分析说明了其基本原理和具体实现方法;构造了一个6位50 MSPS算法型A/D转换器,给出了在OrCAD/PSpice 10.5下的仿真结果...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 电流模式电路具有转换速度高、频带宽、电压低、功耗低等特点.这些特点在日益追求转换速度和精度的A/D转换器中可得到充分利用.这也是A/D转换器发展的一个重要方向[1].利用OPA861跨导型放...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 针对传统加窗、相干采样等方法准确度不够高或条件苛刻难以实现的缺点,提出了采样后相干方法测试ADC的动态参数.该方法能很好地抑制频谱泄漏的影响;另外,对频域内计算信号功率易受栅栏效应影响的问题...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出一种基于遗传算法和支持向量机的故障诊断模型.该模型采用故障识别中的分类效果作为遗传算法中的适应度函数对故障信号进行特征提取和选择,得到更能反映故障类别的特征,作为识别特征输入多类支持向量...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 反向传播算法是应用广泛的一种多层前馈神经网络模型,具有求解精度低、易于陷入局部极小值的缺点.群智能研究领域主要有粒子群优化算法和蚁群算法.粒子群优化算法有收敛速度快、算法参数简洁等特性;蚁群...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响.研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对阈值电压的影响最大.在此...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 随着半导体技术的进步,对A/D、D/A转换器的性能提出了更高的要求,用于制作A/D、D/A转换器的工艺技术也在不断改进.文章介绍了目前用于制作A/D、D/A转换器的主流工艺技术;结合相关产品...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 集成模数转换技术是模拟集成电路中一个重要的分支.随着近几十年集成电路制造技术的飞速发展,集成A/D转换器的性能也在不断地提升.文章在总结归纳近期技术文献的基础上,概述了A/D转换器在高精度和...
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13. 零中频直流偏移消除技术比较与分析刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 阐述了零中频接收器中直流偏移消除技术的多种实现,探讨了各种技术的优缺点,并对其进行了详细的分析.着重深入探讨了直流负反馈技术的发展,最后总结了直流偏移消除技术的应用前景.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 随着器件尺寸的不断减小,PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大.研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象,分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 设计了一种基于BiCMOS工艺的高速采样/保持电路,该工艺提供了180 nm的CMOS和75 GHz fT的SiGe HBT.差分交换式射极跟随器和低下垂输出缓冲器的结合,使电路具有更好的性...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 设计了一种超高速差分电流舵10位D/A转换器.该D/A转换器电路由8路分时复用器、5-31"温度计"译码器、快速转换电流开关和恒流源阵列等单元组成,采用0.35 μm SiGe BiCMOS...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 介绍了一种采用厚膜混合集成工艺制作的倒R-2R电阻网络结构的高速10位D/A转换器电路.重点分析了二极管电流开关对输出电流建立时间的影响,提出了一种改进型二极管电流开关结构,减少了二极管电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 设计了一种12位逐次逼近A/D转换器.该A/D转换器具有四种信号输入范围,利用电阻网络使不同量程的模拟输入与内部DAC输出范围保持一致,从而使用相同的比较器和基准实现对不同范围输入信号的A/...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出一种基于匹配优化的温度补偿技术,使用新型BiCMOS低压共源共栅结构,实现一种实用的低温度系数高精度带隙基准源.采用HSpice和Cadence Spectre对电路进行模拟;在SMIC...
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20. 高精度电流源电路的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出了一种高精度的电流源电路,通过V/I变换,将由带隙基准电压电路产生的与温度和电源电压无关的带隙基准电压转换成与温度和电压无关的高精度基准电流,并通过高精度电流镜结构产生所需的镜像电流,有...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 针对功率型光电检测电路微弱光信号检测和功率输出的需求,研制了一种集成光电探测传感器和信号处理电路,且带功率驱动功能的单片光电检测电路.从理论上探讨了光电探测器的工艺兼容与系统噪声匹配,设计了...
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22. 音频专用DSP核的硬件循环设计刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 介绍了一个音频专用DSP核的硬件循环设计.该设计能实现单条指令和多条指令的硬件循环,并且由同一个电路实现,具有相同的指令格式,并支持最多4重嵌套的硬件循环.基于FPGA开发平台进行实验验证,...
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23. 全集成片上低温漂振荡电路刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 设计了一个全集成低温漂振荡电路,该电路通过将片上环形振荡器产生的振荡信号的频率转换为电压,并与片上基准电压源产生的基准电压进行比较,产生振荡器控制电压,实现稳定振荡器工作频率的目的.由于片上...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 为了提高车辆的操纵稳定性,设计了一种基于DSP56F8346的汽车电控悬架系统(ECAS).该系统实时检测车身高度信息,若车身高度偏离某个目标值,系统立即产生控制信号,对空气弹簧进行充气或排...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS (EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子的积累层;同时,采用Doub...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 介绍了一种适用于数字电视广播视频(DVB)系统的面积优化RS(204, 188)编解码器的VLSI设计.设计中,充分考虑DVB系统的特性,采用软硬件协调和优化的三级流水线结构,运用改进的Be...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 基于传统基准源的研究和分析,利用低压差调整器的原理和结构,通过插入失调电压对基准进行曲率补偿,得到一种新型曲率补偿CMOS带隙基准电压源.对基准源的低频电源噪声抑制和系统稳定性进行了推导和分...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 基于TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺,提出了一种应用于860～960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的可编程全差分低通滤波器电路.该滤波器为6阶切比雪夫有源RC...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 介绍了一种可用于DLL的控制模块,设计了控制模块的具体电路,并着重优化了控制算法,使其锁定速度快、支持的输入时钟信号频率范围大、延迟信号相位抖动小.采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路.该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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