基于SET/MOS混合结构的只读存储器设计

• 作者: 吴刚 李芹 蔡理
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管 MOS晶体管 反相器 译码器 只读存储器
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 895-898
• 页数: 4页
• 分类号: TN389
• 字数: 1965字
• 语种: 中文

摘要

结合单电子晶体管的I-V特性和传统的CMOS工艺设计存储器的思想,设计实现了4×4位的只读存储器电路.该电路各主要组成部分均由单电子晶体管和MOS管的混合结构构成,通过对该电路进行SPICE仿真分析,验证了电路设计的正确性.研究表明,只读存储器的取数时间达到了纳秒级;该电路与纯SET实现的电路相比,驱动能力得到了提高;与传统晶体管实现的电路相比,具有高集成度、低功耗等优点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
2	吴刚	空军工程大学理学院	16	43	4.0	5.0
3	李芹	空军工程大学理学院	21	51	4.0	5.0