微电子学期刊
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微电子学

Microelectronics

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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 史辰 李振国 杨维明 陈建新 高铭洁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  1-4
    摘要: 给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据电路的拓扑...
  • 作者: 忻佩胜 沈德新 胡梅丽 茅惠兵 赖宗声
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  5-7
    摘要: 目前,聚酰亚胺已成为MEMS开关中一种主要的牺牲层材料.在涂胶前,对聚酰亚胺进行低温和高温两步热处理,使其满足光刻的要求.光刻腐蚀后固化处理,使其固化表面平坦、耐腐蚀.显影后选择不同固化处理...
  • 作者: 刘洪江 秦世才 高清运
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  8-10,14
    摘要: 从集成电路设计技术的角度,介绍了△-∑A/D转换器中数字下变频解调器的原理和集成实现方法.采用CSD码,用CIC滤波器、半带滤波器,实现了16位△-∑A/D转换器中的抽取器.对所设计的HDL...
  • 作者: 付玉霞 李煜 李瑞伟 王纪民
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  11-14
    摘要: 通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足的实验数据.
  • 作者: 于理科 任永玲 姬成周 李国辉 杨茹 田晓娜 韩德俊 马本堃
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  15-17
    摘要: 针对数字电路的开发和应用,设计了一种薄基区晶体管,其横向结构采用单侧基极引出.采用全离子注入,实现了基区宽度为80~100 nm的npn纵向结构.基极用电压输入,Vbe在1.2 V附近时,跨...
  • 作者: 吴德馨 李树翀 韩振宇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  18-20,24
    摘要: 功率放大器(PA)和低噪声放大器(LNA)模块是射频(RF)混合集成电路的重要组成部分.文章介绍了2.5 GHz功率放大器和低噪声放大器的设计及其实现过程;阐述了模块中微带线的设计,以及倒扣...
  • 作者: 万天才 杨川 王永生 范麟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  21-24
    摘要: GPS卫星导航接收机主要由天线、RF电路、相关器和控制电路构成,其中,RF电路是GPS卫星导航接收机的关键组成部分.针对GPS卫星导航接收机的要求,介绍了其RF部分的电路设计和版图设计.采用...
  • 作者: 忻凌 李晓非 杨莲兴
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  25-27,31
    摘要: 介绍了在IEEE 802.11协议的跳频传输系统中,GFSK调制解调的实现原理.讨论了选择直接相位检测来实现解调的原因,并给出了一套低成本的实现方案.
  • 作者: 卢世勇 张波 方健 曹亮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  28-31
    摘要: 在传统的电荷泵设计中,往往采用"突发"工作模式以获得最小的静态电流,提高芯片效率.但是,这种一开一关的突发将导致很大的输入电流噪声和输出电压纹波.文章提出了一种"线性"控制模式的电荷泵设计,...
  • 作者: 冉峰 梁志坚 胡越黎 赵燕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  32-35
    摘要: 阐述了一种高性能低功耗MCU的设计.该MCU和标准8051具有相同的指令系统和功能,通过体系结构上采用哈佛结构、1时钟机器周期和指令预取,提高MCU的工作效率;利用门控时钟,降低MCU的功耗...
  • 作者: 余志平 张文俊 李成
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  36-39
    摘要: 文章重新推导了多层介质中的格林函数,解析地计算了格林函数的积分表达式,实现了一种能同时处理导电衬底和导体厚度的三维电容计算方法.由于使用了离散余弦变换等预处理方法,它比基于有限元和时域有限差...
  • 作者: 徐静平 李艳萍 邹晓 陈卫兵
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  40-43
    摘要: 文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型.模拟分析了各种因素对阈值电压漂移的影响,获得了最...
  • 作者: 海潮和 连军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  44-46,50
    摘要: 对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究.由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS的阈值电压都得到了优化.随硅膜厚度的减...
  • 作者: 侯建华 柳健 熊承义 田金文 郑胜
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  47-50
    摘要: 在按行扫方式数据输入的约束条件下,提出了基于提升算法的5-3和9-7小波变换的有效VLSI实现结构.采用行扫的数据输入方式,完成2D小波变换只需少量的几行缓冲寄存器单元,可有效减少片内的存储...
  • 作者: 张波 李泽宏 李肇基
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  51-55
    摘要: 提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型.基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式.该模型的解析解与实验结果和数值解相吻合.并对...
  • 作者: 于奇 任雪刚 唐林 宁宁 李竞春 杨谟华 梅丁蕾 王向展
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  56-58,62
    摘要: 基于预放大-锁存理论,提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑结构;阐述了其传输延迟时间、回馈噪声和输入失调电压的改进方法.采用典型的0.35μm/3.3 V硅CMOS工艺模...
  • 作者: 刘河潮 王森 蔡理
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  59-62
    摘要: 基于多输入单电子晶体管(SET)的Ⅰ-Ⅴ特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由18个互补型SET和1个双栅极SET构成的1位比较器电路结构.该比较器优点为:利用一个双栅极SET的固有...
  • 作者: 张波 曾家玲 李强 李肇基 武洁 熊富贵 牛全民 罗萍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  63-66
    摘要: 阐述了新型开关电源的关键技术.采用跨周期调制和电流极限状态机相结合,引入模糊控制理论和混沌理论,使新型开关电源在能量转换效率、瞬态响应速度、负载调整率、抗扰动性能等方面的特性得到显著提高;应...
  • 作者: 刘卫丽 孙晓玮 宋志棠 张苗 林成鲁 狄增峰 王石冶 骆苏华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  67-70
    摘要: 随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺...
  • 作者: 刘文艳 张慧杰 林忠华 胡国清
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  71-75
    摘要: 微机电系统是面向21世纪的高新技术.文章对微机电系统产生的背景、组成特征、发展现状及应用前景进行了全面分析.在此基础上,论述了MEMS未来发展的趋势.
  • 作者: 刘超 曾一平 李建平 李晋闽 高兴国
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  76-80
    摘要: 绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SO...
  • 作者: 付生猛 胡小波 陈朝阳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  81-84
    摘要: 设计了一种全差分、增益增强CMOS运算放大器.该放大器由三个折叠式共源共栅运算放大器组成,可用于12位40 MHz采样频率的流水线A/D转换器.详细分析了折叠式共源共栅运算放大器中由增加增益...
  • 作者: 倪学文 朱晖 莫邦燹 项斌
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  85-88
    摘要: 研究了一种用于微机械加速度计的CMOS时钟产生电路.该电路可以方便地实现片内时钟的精确产生,集成了具有高电源抑制比的基准电压源,振荡频率可根据需要调节.实际电路采用1.2 μm双层多晶硅、双...
  • 作者: 李冬梅 李本靖 李福乐 王志华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  89-92
    摘要: 设计了一个用于32通道X光成像系统前端的模拟△-∑调制器.基于一种通用的2阶1比特结构,引入了对调制器环路状态进行复位的操作来避免在通道数据间发生相干性.Hspice和Matlab下的仿真表...
  • 作者: 徐秋霞 王志玮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  93-96,99
    摘要: 进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越的障碍.普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命.其中,双栅CMOS被认为是新结构中的首选.在制作平...
  • 作者: 石秉学 郭国勇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  97-99
    摘要: 多相PWM DC-DC电源能提供大电流和高速负载瞬态响应,可满足新一代CPU对主板电源的要求.在多相电源中,关键的问题是如何平衡各相电流.文章提出了一种新的电流共享方法--主从电流共享.该方...
  • 作者: 曾大富 王欣平 萧飞 钟贵春 高炜欣
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  100-101
    摘要: 为满足电子系统小型化、轻量化、高性能、高可靠等要求,采用铝合金材料做封装外壳和布线基板已提到议事日程.但铝合金外壳的密封和钎焊存在一系列有待解决的问题,影响了铝合金材料的高导热率和质量轻等性...
  • 作者: 吴嗣亮 李加琪 郑哲
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年1期
    页码:  102-104
    摘要: 针对引信体目标视频回波模拟器中高速大数据量传输、下载和存储的需要,提出了用现场可编程门阵列(FPGA)设计SDRAM控制器的方案和方法.该控制器与常规SDRAM控制器不同,它以长度120个字...
  • 作者: 李树国 羊性滋 邹吉林
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  105-109
    摘要: 目前,智能卡中的RSA密钥生成通常由软件实现,速度较慢.文章给出了一种RSA密钥生成的VLSI实现方案,在RSA协处理器基础上增加若干运算单元,来完成RSA密钥生成和加解密操作.采用这种方式...
  • 作者: 任昶 蒋和全 蒲林
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年2期
    页码:  110-113
    摘要: 射频集成电路(RF IC)是无线通信、雷达等电子系统中非常关键的器件,由于其高频特点,准确评估RF IC的性能具有相当的难度.文章以射频低噪声放大器(LNA)为例,运用微波理论,分析了RF ...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

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2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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