微电子学期刊
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微电子学

Microelectronics

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影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 刘道广 吴建伟 张静 张鹤鸣 戴显英 王伟 胡辉勇 黄大鹏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  329-331
    摘要: 侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未见到有关SiGe...
  • 作者: 刘庆 张伟 许军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  332-335,339
    摘要: 在SiGe HBT设计中,采用Al-TiN-Ti多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax).但是,本文的研究表明,如果忽略了发射极电阻的减小和TiN、Ti有较小的热导...
  • 作者: 李斌 王茂菊 章晓文 陈平 韩静
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  336-339
    摘要: 随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试...
  • 作者: 吴明远 孔晓彬 张明 胡海波
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  340-343,348
    摘要: Σ-Δ A/D转换器需要一个基准电压作为参照进行模/数转换,因此,基准电压上的任何变化都会直接影响到A/D转换的结果.文章推导分析了基准电压的DC及AC波动对Σ-Δ A/D转换结果的影响机制...
  • 作者: 张晓林 张超 陈征宇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  344-348
    摘要: 文章从工艺偏差的角度入手,采用蒙特卡罗分析方法,结合独特的辅助电压源前置放大器,基于TSMC 0.25 μm CMOS工艺,对1 GHz采样率8位A/D转换器中的比较器进行了设计,使之具有实...
  • 作者: 刘建华 刘欣 叶冬 曾大富 罗驰 邢宗锋
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  349-351,356
    摘要: 对刚性基板倒装式和晶圆再分布式两种结构的芯片级封装(CSP)进行了研究,描述了CSP的工艺流程;详细讨论了CSP的几项主要关键技术:结构设计技术,凸点制作技术,包封技术和测试技术;阐述了采用...
  • 作者: 俞军军 孙伟锋 易扬波 李海松 陆生礼
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  352-356
    摘要: 借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd...
  • 作者: 孙腾达 梁锦 谢家纯 黄莉敏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  357-359
    摘要: 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增...
  • 作者: 刘明 康晓辉 张立辉 王德强 范东升 谢常青
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  360-363
    摘要: 介绍了 193 nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理.通过商用光刻模拟软件PROLIT...
  • 作者: 刘玉奎 张正元 徐学良 曾莉 税国华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  364-366
    摘要: 文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300 ...
  • 作者: 余兴六 张小林 郭丽萍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  367-370
    摘要: 文章给出了几种单级功率因数校正电路的拓扑结构,计算和分析了其功率开关管上的电压应力和电流应力.为设计功率因数校正电路选择适宜的电路拓扑结构提供了一种依据.
  • 作者: 周敏 李志国 程尧海 魏顺宇 黄瑞毅
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  371-374
    摘要: 针对双列直插封装的大功率MCM,建立了简化的热学模型;利用有限元数值方法,在ANSYS软件平台下,对其三维温场进行了稳态模拟和分析.模拟结果与测量值的误差为4.5%,表明设定的模型与实际情况...
  • 作者: 刘烨 李征帆 薛睿峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  375-378
    摘要: 采用二维电感模型,计算了带接地导体的有耗互连线的频变阻抗.阻抗函数用分式多项式近似,并表达为串接的并联电阻、电感的福斯特电路形式.考虑互连线分布电容参数,并根据多个频点阻抗值,用有限数量极点...
  • 作者: 冯全源 李建龙
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  379-381,385
    摘要: 文章成功地将一种全差分折叠式共源共栅运算放大器结构应用于移动电话音频功率放大芯片的设计中.仿真表明,该音频功率放大芯片的电源抑制比(PSRR)在20 Hz ~20 kHz频段始终高于60 d...
  • 作者: 徐岚 游海龙 贾新章 陈光炳
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  382-385
    摘要: 随着现代微电路工艺技术和设备性能的提高,许多工艺涉及6个或更多的工艺条件输入,而且这些工艺条件之间存在更多的交互效应.为了表征设备特性并优化工艺条件,文章利用部分要因试验设计方法安排试验方案...
  • 作者: 李平 杜涛 湛军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  386-389
    摘要: 针对电子系统设计中EDA数字仿真的特点,文章首次提出并实现了一种将EDA数字仿真波形信息文本化的智能化处理方法.该方法通过对仿真波形信息的分析加工,直接以直观文本形式输出,从而使电子设计工程...
  • 作者: 余志平 张大伟 田立林 章浩
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  390-393,399
    摘要: 利用ISE 8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟.结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反.从密度梯度模型,简化得到多晶...
  • 作者: 王志华 黄水龙
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  394-399
    摘要: 现代无线通信要求频率综合器同时满足快速切换时间,小信道宽度和低噪声性能三方面的要求.分数N频率综合器在这方面的优良特性使得它在现代无线通信系统中被广泛使用.文章系统地讨论了用CMOS工艺实现...
  • 作者: 王百鸣
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  400-403,408
    摘要: 文章通过对模拟开关的实验测试,提出关于延时基本概念的深层次观点:检验电路系统中延时影响的标准,并不是该系统输入输出信号之间的延时值大小,而是该系统能否达到预期功能.提出了一种能够减小捕捉时间...
  • 作者: 孙劼 童家榕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  404-408
    摘要: 提出了一种层次式布线资源FPGA连线开关的设计方法,采用迷宫算法,对连线开关的结构进行了分析.针对连线连接盒CB(connection box),提出了较为节省芯片面积的半连通结构;针对连线...
  • 作者: 刘伦才 黄文刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  409-411
    摘要: 文章简要介绍了电流反馈和电压反馈运算放大器的基本原理,从理论上分析了两种运放的频率等效模型,进而提出了提高运算放大器速度和带宽的有效途径.另外,文章还对高速运算放大器使用过程中的稳定性进行了...
  • 作者: 李建中 汤小虎 魏同立
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  412-415
    摘要: 设计了一种全差分折叠-共源共栅跨导运算放大器,并将其应用于80 MHz开关电容带通Δ-Σ A/D转换器中.该跨导运算放大器采用0.35 μm CMOS N阱工艺实现,工作于2.5 V电源电压...
  • 作者: 姜岩峰 黄庆安
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  416-419
    摘要: 文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力.对键合过程中硅-硅界面进行了研究,提出了...
  • 作者: 周丽霞 来新泉 陈富吉
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  420-423
    摘要: 文章给出了一种用于升压型DC-DC转换器的动态斜坡补偿电路.该设计引入了输入、输出电压反馈控制电路,利用工作于线性区的MOS管压控电阻特性,实现了动态、优化的斜坡补偿.与传统的设计相比,引入...
  • 作者: 司龙 熊元新 蒋叶强
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  424-427
    摘要: 文章描述了一个基准频率为32 768 Hz的锁相环频率合成器的设计.该频率合成器有1250、1 500、2 000、2 500、3 000等5个倍频选择.电路设计基于1st Silicon ...
  • 作者: 程剑平 魏同立
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  428-432
    摘要: 设计了一种低踢回噪声锁存比较器,着重分析和优化了比较器的速度和失调电压.在0.35 μm CMOS工艺条件下,采用Hspice对电路进行了模拟.结果表明,比较器的最高工作频率为200 MHz...
  • 作者: 吴苗松 张奇 陈勇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  433-436
    摘要: 文章分析了电流舵逻辑门的动/静态特性.为了比较电流舵环形振荡器和普通数字反相器环形振荡器,采用1.2 μm标准CMOS工艺,设计并制作了两种环形振荡器.仿真和试验结果表明,电流舵环形振荡器具...
  • 作者: 任天令 安黎 魏朝刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  437-440
    摘要: 以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4 kb (512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块.设计中,采用新开发的铁电电容模型...
  • 作者: 朱华顺 李佩 陈兴国
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  441-444
    摘要: 文章叙述了实现雷达接收机立体微波集成电路的基板及焊接工艺,研制了一种针对多通道雷达接收机的接收集成电路.提出了芯片电路设计,多层基板实现,以及芯片封装等实现方法.测试结果表明,电路达到了预期...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

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2. 信息产业部优秀电子科技期刊

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