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微电子学2005年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 数字技术的飞速发展,使A/D转换器变得越来越重要.文章扼要叙述了A/D转换器的历史发展过程,列举了几种当前流行的A/D转换器,包括全并行、两步型、插值折叠型、流水线型、逐次逼近型、Σ-Δ型A...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响.作为唯一能实现全局平坦化方法的化学机械抛光(CMP),近年来发展迅速...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 近年来,离子敏场效应晶体管(ISFET)在生物传感器领域的广泛研究取得了快速发展.综述了ISFET相对于传统离子电极(ISE)的优势,ISFET的工作原理,ISFET的分类和敏感膜;重点介绍...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.目前已经开发出许多终点检测技术.文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术-OES和IEP-的最新...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 以复用核测试为目标的测试策略是解决SOC测试问题的基础.IEEE P1500标准是国际上正在制订的嵌入式核测试标准,该标准旨在简化核测试信息的复用,提高SOC级测试集成的效率.文章介绍了截至...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了几类常见的基于AlGaN/GaN HEMT的微波功率放大器;论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术--倒装芯片集成(FC-IC)和共平面线(CPW);分析了自行研制的微波功率放大器...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 文章结合实例,详细介绍了一种分五个层次定义的微细结构描述语言--MSDL(Micro-Structure Description Language).包括集成电路、MEMS元器件等在内的任意...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 文章设计了一种应用于无线通信的2.4 GHz全集成对称式串并型射频收发开关,详细分析了影响这种射频收发开关性能的各种因素,并采用了相应的优化方案.经仿真,在2.5 V电压下获得了插入损耗1....
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构的临界电场和击穿电压进行了研究.结果表明,对于所研究的...
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10. 滑模控制开关变换器的分析与实现刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 分析了滑模控制DC/DC变换器的滑模存在条件、到达条件及稳定性,通过选择适当的状态变量,建立系统状态方程模型.提出了一种实用性较强的双环控制方案,并以Buck电路为例,设计出滑模控制电路.实...
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11. 大腔体器件气密性焊接技术研究刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 阐述了大腔体器件的储能焊焊接技术,讨论了焊接基本要素,建立了焊接能量模型.分析了影响气密性的主要因素,通过改进焊接技术和优化工艺参数,解决了大腔体器件的气密性焊接技术问题.目前,大腔体器件(...
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12. MEMS传感器的真空密封技术刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 文章介绍了MEMS传感器的几种真空密封方法,提出了一种真空密封方法的设想.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 通过对QM模型的介绍,说明了薄膜双栅MOSFET体反型现象是量子效应的结果,并对QM模型中提出的反型层质心概念进行了剖析,阐述了其重要的物理意义和应用价值.利用反型层质心概念,提出了一组形式...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 文章对2-1-1级联结构的高阶Σ-Δ A/D调制器的非理想特性,包括时钟抖动、MOS开关噪声、比较器迟滞性、放大器的输入噪声、单位增益带宽和有限直流增益等,进行了分析,提出了基于Matlab...
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15. 功率混合集成电路键合强度控制研究刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 通过引入铜过渡键合垫片,取消了金-铝键合系统,改用铝-铝键合,以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级,满足某些特殊领域的要求.运用SPC控制,对键合工艺进行了有效控制,使功率混合集...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在0.18 μm下,时序收敛的关键是互连线延时问题.文章介绍了一种时序快速收敛的RTL到GDSII的设计方法,该方法有效地消除了逻辑综合和物理设计之间的迭代.采用一个450万门超大规模DSP...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在考虑标准单元设计方法特点的基础上,提出了一种针对互连线时延优化的缓冲器插入及布线算法.该算法考虑标准单元设计中的缓冲器插入区域限制,在布线的同时插入缓冲器,能有效实现单路径时延最小化.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 文章对斜阶跃信号激励下的RLC互连线时延模型进行了研究.用改进1阶模型逼近传输线的传输函数,得到了比较简洁的时延解析式.该模型计算所得的结果与SPICE仿真结果的误差小于5%.
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19. 一种非零偏差时钟网布线算法刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 特定的非零偏差时钟网比零偏差时钟网更具优势,它有助于提高时钟频率、降低偏差的敏感度.文章提出了一种新的非零偏差时钟树布线算法,它结合时钟节点延时和时钟汇点位置,得到一个最大节点延时次序合并策...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄...
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21. 混合集成电路"单向泄漏"问题分析刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 混合集成电路"单向泄漏"问题是微电子工业中新近发现的问题,它通常出现在各种金属与玻璃封接的器件当中;然而,对于这些器件,很难发现"单向泄漏"问题的存在.文章通过对器件的密封性测试结果和内部水...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 提出了在VDMOS FET中减小密勒电容和反向恢复电荷的一种新结构,该结构结合了肖特基接触和分段多晶硅栅的方法.数值分析仿真结果表明,在相同器件单元尺寸下,该结构优于常规VDMOS FET,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 文章提出了一种高增益宽带共栅CMOS电流模跨阻放大器,从理论上对电路进行了分析.采用0.5 μm CMOS 工艺进行HSPICE仿真,结果表明,该电路结构能达到57 dBΩ跨阻增益,1.5 ...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 提出了一种基于电流模施密特触发器的单电源低功耗OTA-C张弛振荡器.该振荡器可以在3.3 V和5 V单电源下工作,功耗小于35 μW,其频率可以由OTA的偏置电流近似线性调整,振幅可以由控制...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 提出了一种快速有限域乘法器结构.将多项式被乘数与乘数各自平分成两个子多项式,并使用数字乘法结构计算这些子多项式的乘积.通过改变数字乘法结构的数字大小D,来均衡乘法器性能和实现复杂度.为了简化...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 针对集成荧光灯电子镇流器中存在两个功率开关管直接短路的危害,提出了一种逐时钟周期方式的过流保护电路.与采用逐开关周期的传统过流保护电路相比,它具有更高的可靠性.文章阐述了过流产生的原因及采用...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 设计了一个结构新颖的3.5倍频锁相环(PLL)倍频器,该电路应用自适应电荷泵和压控振荡器工作频率范围复用技术,调整环路带宽,减小压控振荡器的工作范围.采用1st Silicon 0.25 μ...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用GaAs PHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器.着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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