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摘要:
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.目前已经开发出许多终点检测技术.文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术-OES和IEP-的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 等离子体 刻蚀工艺 终点检测 OES IEP
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目 综合评述
研究方向 页码范围 236-239,244
页数 5页 分类号 TN305
字数 4031字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2005.03.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘明 中国科学院微电子研究所 207 1983 20.0 38.0
2 李兵 中国科学院微电子研究所 79 708 16.0 24.0
3 叶甜春 中国科学院微电子研究所 200 911 14.0 18.0
4 陈大鹏 中国科学院微电子研究所 79 466 10.0 17.0
5 王巍 中国科学院微电子研究所 34 402 8.0 19.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
等离子体
刻蚀工艺
终点检测
OES
IEP
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
论文1v1指导