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微电子学2013年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
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1. 新型低功耗上电复位电路刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 设计了一种新型低功耗上电复位电路.该电路采用一种低功耗施密特触发器,整体电路静态工作电流极低,复位脉冲出现时间和脉冲宽度可调.电路基于40 nm CMOS工艺,在1.1V电源电压下进行Cad...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 介绍了一个面向3G/4G LTE通信及雷达等应用的12位200 MS/s的高速低功耗A/D转换器(ADC).采用交织运放共享技术,可节省功耗,同时减小不同通道之间的增益失配、失调失配和带宽失...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器.在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度.详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe ...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 实现了一个带宽和增益可配置、高线性度、低噪声的模拟基带电路,可应用于77 GHzCMOS毫米波雷达接收机.电路包括一个带宽可配置的5阶巴特沃斯低通滤波器模块、三个可编程增益放大器模块以及三个...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 给出了一种适用于分时采样结构A/D转换器的等间距8相时钟发生电路.介绍了延迟锁相环(DLL)的结构,给出了每一模块的具体模型并加以分析.在0.18 μm标准CMOS工艺和1.8V电源电压下,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 介绍了基于光纤通信技术的四通道小型可插拔(QSFP)收发器的板级AC耦合策略.借助理论分析,推导出一种选择AC耦合电容值的近似准则,通过对QSFP收发器通道的无源特性以及QSFP收发器全链路...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 通过对全波整流电路的建模,分析了影响全波整流芯片效率的主要因素,在此基础上,设计了一种应用于胶囊机器人的高效全波整流电路.采用SMIC 0.18 μm工艺进行流片,芯片面积为450×250(...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 采用英飞凌0.11 μm CMOS工艺,实现了一种用于音频范围的高精度△-∑ A/D转换器.调制器采用1位量化的5阶单环前馈结构,ADC过采样率为256.A/D转换器模拟调制器工作于5V电压...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 为了进一步研究2PSK非相干解调方案在完整的调制解调系统中的实用性,设计了基于差分相干解调的2DPSK和基于非相干解调的2PSK两种调制解调系统,利用Matlab/Simulink下的系统级...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(Kvco)、恒定子带间距的压控振荡器.该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 设计实现了一款低功耗小面积的JPEG图像压缩芯片.该压缩芯片采用4×4分块方式,每个4×4块的一维DCT运算只需要1次乘法.二维DCT中间转置结构采用一种新颖的实现方式,与传统的实现方式相比...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 基于Log-MAP算法,提出一种利用Virtex-5系列FPGA芯片实现Turbo译码算法的方案.分析研究了Turbo码的译码算法以及FPGA与DSP之间数据的并行传输,并以Virtex-5...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 提出了一种用于单相无刷直流电机驱动芯片的软开关比较器电路,利用该电路实现了软开关换相区域的有效控制.该软开关比较器电路实现方式简单,只需一个比较器就能实现通常需要两个迟滞比较器方能实现的软开...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 提出一种高清视频编码在可重构处理器ReMAP上映射实现的方法,采用动态流水重构技术,实现整数运动估计、环内算法等多个关键子算法在可重构处理器中的分时复用映射.仿真验证表明,可重构处理器ReM...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 基于双互锁存储单元(DICE)结构,采用TSMC 0.18μm体硅CMOS工艺,设计了一个带复位和清零端的主一从型抗辐照触发器.通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制,使单个存储节点具...
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16. 基于忆阻器的自动增益控制电路设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 忆阻器被认为是除了电阻、电容、电感之外的第四个基本电路元件,它是一种非线性二端无源器件,具有“记忆”功能.忆阻器在众多领域中具有巨大的应用潜力,有望推动整个电路理论的变革.介绍了一种改进的忆...
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17. 电离总剂量辐射加固SRAM设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命.针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 介绍了一种适用于多厂商、多种工艺和电路结构的嵌入式SRAM IP核编译器设计方法,该方法使编译器的设计复杂度降低30％以上.专用版图处理工具LayoutBuilder能自动完成版图拼接、打孔...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 基于自主设计的嵌入式低功耗硬件平台,深入分析了Linux系统休眠态的功耗管理技术.在分析Linux休眠机制下高级电源管理(APM,Advanced Power Management)的基础上...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： SRAM编译器一般需要配置具有各种字宽、各种容量的SRAM.针对这种需求,SRAM阵列和外围电路需要设计成具有可配置性、可复用性的结构.使用0.525 μm2的6管存储单元,采用阵列划分、两...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 微电子抗辐射设计加固(Radiation Hardening By Design,RHBD)是指在电路设计中采用特殊版图或电路结构达到抗辐射电路的性能要求,且该电路应能使用标准商用生产线的工...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 研究了基于90 nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响.衬底电流IB在0 V＜VG＜1 V时变化比较明显,IB随VB正偏压的增加而增大,随VB负偏压的增加而...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 采用三维全波电磁场模拟软件HFSS作为分析工具,对八边形差分对称结构电感和单端结构电感进行对比研究,提出利用多层金属并联布线、渐变线宽和图案接地屏蔽(PGS)等结构与差分对称结构集成来提高片...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性.结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效应比常温时更明显.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系.实验结果表明,此型号抗辐射加固...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 随着MOS器件缩小到纳米尺寸,为了改善器件性能,三维全耗尽FinFET器件受到广泛关注和研究.基于体硅衬底,已实现不同结构的FinFET,如双栅、三栅、环栅等结构.不同于SOI衬底FinFE...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X射线衍射、透射电子显微镜和方块电阻等测试.结果表明,采...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型.LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型.根据I...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年1期页码:摘要： 在分析DES/3DES密码算法及常用抗攻击策略的基础上,从DES算法的功耗点和代码的简易程度着手,进一步改进掩膜方法,提出了一种抗DPA攻击的DES/3DES改进算法,该算法可支持ECB和C...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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