基于体硅衬底制作全耗尽FinFET器件的工艺方案

• 作者: 刘佳 骆志炯
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 三维全耗尽 鳍形场效应管 栅全环绕 SOI衬底 体硅衬底
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 120-124
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.5
• 字数: 2631字
• 语种: 中文

摘要

随着MOS器件缩小到纳米尺寸,为了改善器件性能,三维全耗尽FinFET器件受到广泛关注和研究.基于体硅衬底,已实现不同结构的FinFET,如双栅、三栅、环栅等结构.不同于SOI衬底FinFET,对于双栅或三栅结构,体硅衬底制作FinFET可能存在源漏穿通问题,对于环栅FinFET器件,工艺实现是一个很大的挑战.综述了目前解决源漏穿通问题的各种工艺方案,提出了全新的基于体硅衬底制作环栅FinFET的工艺方案,并展示了关键步骤的具体工艺实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘佳	中国科学院微电子研究所	82	589	11.0	21.0
2	骆志炯	中国科学院微电子研究所	3	12	2.0	3.0