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微电子学2013年第4期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 提出了一种新型电流模式的带隙基准电压源结构,与传统带隙基准源不同,通过电流模式高阶曲率补偿技术,消除了高阶温度系数对基准电压的影响,得到一个与温度相关性较小的基准电压.电路采用Charter...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路.这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点.设...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 自动增益控制环路是由可变增益放大器和负反馈回路构成的闭环系统,被广泛应用于助听器、磁盘驱动电路及各类无线通信电路.采用SMIC 0.13 μm 1P8M CMOS工艺,设计了一款用于助听器S...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 提出了一种基于有源可调衰减器的超宽带可变增益放大器,以有源可调衰减器作为可变增益放大器的核心,并与高增益放大器级联,在3.1～10.6 GHz超宽频带内实现了宽动态增益调节范围.基于Jazz...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 提出了一种适用于PDP行驱动电路的矩阵控制方法,并设计了行驱动逻辑控制电路.与常规的控制方法相比,矩阵控制方法使高压MOS管的数量减少70％以上,极大地减小了芯片面积.仿真结果表明,采用该矩...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了LLC谐振变换器技术的基本原理,结合TEA1713和LM3464,设计了一款多路输出谐振式路灯照明LED恒流驱动电源.该电路采用两个高集成度的控制器,提高了系统集成度,简化了外围电路;...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了Triac调光器的基本原理,对Triac调光器应用于LED照明中存在的问题进行了分析.采用TI公司的LM3445,设计了一款原边反馈反激式LED驱动电路.试验结果证明,该驱动电路解决了...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 设计了一种结构新颖、适用于各种同步整流结构的零死区栅驱动电路,并在全桥输出结构的D类放大器中对其可行性进行了验证.通过控制输出同步整流功率管在开关过程中同时切换,避免了功率管寄生体二极管的开...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 随着半导体工艺的进步,器件特征尺寸不断缩小,晶体管漏电流呈现出增长趋势.高速SRAM位线上,过大的漏电流会引起SRAM的性能出现严重下降,甚至导致SRAM读失效的发生.特别是当位线上积累的漏...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 采用自适应恒定导通时间(Adaptive Constant On-Time,ACOT)控制模式,设计了一种高效的降压型DC/DC变换器.该电路结构简单,无需进行环路补偿,具有瞬态响应快、在全...
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11. 低功耗内容寻址存储器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 分析了传统内容寻址存储器(CAM)结构,提出其功耗模型.根据功耗模型,设计了一种适用于以太网MAC地址识别的新型低功耗CAM单元结构及其预充电路.基于SMIC 0.18 μm/1.8V工艺库...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 以电流舵型D/A转换器为核心,设计了一个8通道14位60 MHz D/A转换器.采用三段电流源(5+4+5)结构的核心D/A转换器单元,有效地保证了转换器的精度和速度;利用电荷泵锁相环进行时...
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13. 一种X波段小型化频率综合器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了一种低杂散的小型化X波段频率综合器.基于SMT工艺,采用间接频率合成技术,使用锁相环、压控振荡器芯片、3阶无源环路滤波器和前置分频器实现频率综合.介绍了小型化的设计思路.仿真和测试结果...
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14. 一种机载直流浪涌抑制器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 研究了机载28 V直流供电系统浪涌电压对DC/DC电源的危害,对影响浪涌抑制电路的各种因素进行了探讨.提出了尖峰抑制电路、过压浪涌抑制电路和欠压浪涌抑制电路的设计方案,并将过压浪涌电路和欠压...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 建立了单电感多路输出(SIMO) DC-DC转换器的数学模型,通过Matlab验证了SIMO模型的可行性.为解决SIMO控制电路复杂以及静态工作电流大的问题,提出在电流域设计SIMO控制器的...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 为了适应全彩LED驱动芯片的需要,采用CSMC 0.5μm标准工艺,设计了一种用于LED驱动芯片的新型CMOS环形振荡器.电路使用正负温度特性补偿、延时迟滞以及时钟同步技术.在电源电压为3～...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了一种带频率抖动功能的振荡器,该振荡器结构简单、频率抖动效果明显,通过周期性改变振荡器内部比较器的比较阈值达到频率抖动的效果,可有效降低芯片电磁干扰.使用0.5 μm BCD工艺对电路进...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了指数函数传统的FPGA实现方法,分析其硬件开销及运算精度.在此基础上,基于Simulink开发工具,提出了一种运用查找表思想在FPGA上实现指数函数的新方法.该方法具有硬件资源消耗少,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 对FIR滤波器中的乘法如何在FPGA得到高效实现进行了研究.结合FPGA查找表结构,兼顾资源和速度的要求,采用改进的分布式算法,设计了20阶常系数FIR滤波器.在此基础上,用OBC编码对其查...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一款应用于900 MHz UHF RFID读写器的有源I/Q正交上混频器.通过直流电平转换电路控制I/Q支路的信号输入,实现了ISO/IEC 18...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 提出一种新的双分支Hammerstein-Wiener模型,对功放进行非线性行为建模及数字预失真研究.利用飞思卡尔半导体公司的MRF7S21170晶体管进行功放电路设计,从ADS中导出输入输...
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22. 反熔丝FPGA布局布线算法研究刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了反熔丝FPGA及其布局布线算法的研究现状,讨论了目前最为流行的FPGA布局布线的基本原理与实现方式.针对反熔丝FPGA的结构对布局布线算法进行了改进,并在CAD实验平台上实现了改进算法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 针对神经网络和支持向量机在射频功率放大器建模领域存在的优缺点,提出一种利用PSO_SVM算法对射频功率放大器进行建模的方法.从理论上分析了支持向量机(SVM)及粒子群优化(PSO)算法的相关...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加.工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同,浅发射结LPNP的抗辐照性能更强.由于离子注入前氧化层的影响,厚...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET.通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻.MEDICI TCAD仿真结果表明:在281...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 基于国际集成电路技术和产业发展趋势,结合国内集成电路发展现状,研究实现跨越发展的对策.提出通过顶层构建,前瞻性合理布局产业链;引进消化吸收再创新,实现专利升级并有偿共享,加速突破技术障碍;完...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 针对特征尺寸减小给微电子技术带来的问题,简述了纳米材料的几种量子效应；着重介绍了新型纳米半导体材料(碳纳米管和石墨烯)在后摩尔时代的微电子技术中的应用;探讨了碳纳米管和石墨烯在纳电子器件、集...
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29. N面GaN材料及器件的研究进展刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： N面GaN材料及器件是宽禁带半导体技术中的重要研究内容.对N面GaN材料及器件的概念、优势、研究现状以及存在的问题进行了系统的分析.在此基础上,论述了N面GaN材料及器件未来的发展趋势.
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 横向超结双扩散MOS (SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一.分析了SJ-LDMOS衬底...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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