微电子学期刊
出版文献量(篇)
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微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 沈琪 王伟印 顾晓峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  737-741
    摘要: 针对RFID读写器功耗受限、信号带宽大的特点,结合连续时间型和离散时间型Σ△调制器各自的优点,采用冲激不变法,将离散时间型Σ△调制器变换为连续时间型Σ△调制器,提出一种4位量化2-1连续/离...
  • 作者: 胡炜 许育森
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  742-746
    摘要: 基于亚阈值区MOSFET器件栅源电压的负温度特性,以及两MOSFET串联中间结点电压的正温度特性,设计了一个新型基准电压源.与传统带隙基准电压源相比,该电路采用全CMOS器件,无电阻,具有功...
  • 作者: 丁春宝 周孟龙 张万荣 张卿远 谢红云 金冬月 霍文娟 高栋 鲁东
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  751-755
    摘要: 基于CMOS有源器件和传输线,提出了一款面积小、电感值大、品质因子(Q)高的超宽带可调有源电感电路拓扑.该有源电感利用CMOS有源器件级联反馈结构提供偏置,采用负阻补偿网络补偿有源电感正电阻...
  • 作者: 吴楚彬 张章 於昌虎 杨依忠 解光军
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  756-759
    摘要: 随机快闪A/D转换器(SF-ADC)的传输函数满足正态分布曲线,线性度较差.对该类型ADC的数字后台校准算法进行研究,提出一种新的校准算法.该算法通过分段逼近结合反函数的方法来校准传输函数的...
  • 作者: 丁春宝 周孟龙 张万荣 张卿远 谢红云 赵彦晓 邵祥鹏 金冬月 高栋
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  760-763,772
    摘要: 针对传统有源电感等效电感值低、品质因数(Q)低、频带窄的缺点,在传统共源共栅有源电感的基础上,提出了具有有源电阻反馈和分流支路的改进型有源电感电路,给出了其等效电路模型及各等效参数的表达式....
  • 作者: 杨晓强 涂景怀 闫军山
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  764-767,776
    摘要: 基于Verigy 93000 ATE,提出一种采用外挂高性能信号源(SMA100)的测试方案:通过信号源同时产生模拟信号和时钟信号,实现输入信号同步;通过ATE数字通道过采样及相应的算法处理...
  • 作者: 夏守行
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  768-772
    摘要: 在传统D类音频功放的半桥输出上再级联一级丰桥,构成一种新型二级联半桥D类音频功放.两半桥采用载波相移调制法,即两个相位相反的三角载波调制同一个音频波.对传统D类音频功放和新型D类音频功放输出...
  • 作者: 周孟龙 张万荣 张卿远 邢光辉 邵翔鹏 霍文娟 高栋 鲁东
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  773-776
    摘要: 基于Jazz 0.35 μm SiGe HBT工艺,设计了一种宽动态范围的可变增益放大器(VGA).放大器由三级级联结构构成,分别为输入级、增益控制级和输出级.采用新提出的增益控制结构,实现...
  • 作者: 孙玲 彭艳军 邢飞燕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  777-781,787
    摘要: 基于SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺,设计了一种适用于DSRC系统的5.8 GHz射频功率放大器.该电路采用两级差分的共源共栅结构,在共栅管处采用自偏置方法,提高了电路在大信号情...
  • 作者: 于宗光 刘迎迎 吴金 聂卫东 董怀朋 韩海青
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  782-787
    摘要: 设计了一种基于自适应导通时间(Adaptive On Time,AOT)控制的同步降压型DC-DC变换器.在重载工作时频率近乎恒定,在轻载工作时频率随负载变化,以此实现整个负载范围内的高效率...
  • 作者: 宗莉莉 徐勇 胡晓斌 陈瑞鹏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  788-791
    摘要: 设计了一种应用于特定环境的高可靠高压电源调频控制器,配合系统高压变压器,实现了输出电压为7 800±200V,输出高压建立时间小于1 s,稳态输入平均电流小于0.3A.启动过程中,控制器可根...
  • 作者: 李俊宏 李威 李平 翟亚红 胡滨 辜科
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  792-796,801
    摘要: 基于电子科技大学研制的铁电电容的参数,修正了HSIM软件中的铁电电容模型,利用此模型,设计了2T-2C铁电存储单元的读写电路,分析了位线电容的匹配性问题.完成了铁电电容工艺与标准CMOS工艺...
  • 作者: 李丽 李伟 沙金 潘红兵 郑艳丽
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  797-801
    摘要: 转置存储是信号处理中常见的算法,矩阵转置的效率对整个算法(如实时成像算法)的性能有着重要影响.在研究各种矩阵转置方法的基础上,提出了一种基于SRAM的软硬件协同转置存储控制器,利用嵌入式处理...
  • 作者: 张文杰 谢亮 谢晶 金湘亮
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  802-806
    摘要: 提出了一种由调制信号产生电路、比较锁存电路、输出级电路组成的嵌入式动态锁存比较器.该比较器结构简单、面积小,采用一套可控时钟,在减小功耗的基础上得到了高精度.电路在MXIC 0.5μm标准C...
  • 作者: 周力 李佳 李明齐 邢留记 邱剑 陆小凡
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  807-811
    摘要: 提出一种基于PCI Express总线的多天线射频收发系统架构.系统的射频前端采用零中频结构,可支持0.3~3.8 GHz的频率范围,1.5~28 MHz的调制带宽以及TDD/FDD工作模式...
  • 作者: 徐巍 林涛 王巍 王振 谢玉亭
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  812-816,826
    摘要: 为了提高H.264/AVC变换和量化部分硬件实现的速度,通过分析整数离散余弦变换(DCT)和量化模块的速度优化设计,提出一种算法的并行流水线处理结构.这种结构可同时处理16个不同数据类型的像...
  • 作者: 方文啸 王力纬 董倩 贾鲲鹏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  817-820
    摘要: 集成电路芯片在不受控的制造过程中可能会被嵌入恶意电路结构,形成硬件木马,给集成电路芯片的可信度带来极大的安全隐患.传统的测试技术很难发现这些硬件木马.针对这一问题,提出一种基于马氏距离的非破...
  • 作者: 喻明艳 王新胜 韩良
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  821-826
    摘要: 提出了一种用于改善片上长互连电流模系统功耗和延时的模拟退火算法.该模拟退火算法初始温度选择采用加快增温的算法;随机搜索策略增加了重升温过程,以激活状态的接收概率.通过模拟退火算法,对电流模互...
  • 作者: 付东兵 刘军 张俊安 张瑞涛 杨毓军 王友华
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  827-831
    摘要: 论述了商用单片D/A转换器类产品的发展阶段、产品现状及未来发展趋势.以目前国际上商用单片D/A转换器产品公开发布的产品资料为基础,分四个阶段简要介绍了D/A转换器产品的特点、电路结构、速度精...
  • 作者: 王守祥 赖凡
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  832-836,849
    摘要: 微系统研究始于军事领域,在其早期是指“微机电系统”(MEMS).微机电系统随着集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展.随着技术的不断进步,微机电系统已更多地集成了生物、光学、计...
  • 作者: 陈洪波
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  837-840,854
    摘要: 军工行业信息化具有区别于其他行业的八个特点,经过多年的自主发展,很多问题愈发凸显,特别是发展思路和模式,值得重新探讨.针对这些问题,从实践出发,通过深入分析,提出以集团为主体,分两个层次的发...
  • 作者: 乔明 卢慕婷 周锌 张波 王卓 邹杰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  841-845
    摘要: 提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压.通过分析器件的结...
  • 作者: 余屯 刘欢 邱禹 钟传杰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  846-849
    摘要: 采用溶液旋涂方法,以6,13-bis (Triisopropyl-silylethynyl) Pentacene(TIPS-pentacene)为有源层材料,制备了顶接触有机薄膜晶体管,研究...
  • 作者: 毛志刚 王勇 赵宇航 黄寅
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  850-854
    摘要: 为了减少片上螺旋电感的金属导体损耗,基于200mm晶圆的铜后道互连工艺线,开发了适用于射频电路的3μm厚铜工艺.流片测试结果显示,基于低阻硅衬底制作的电感器件在很宽的频率范围内,其品质因子Q...
  • 作者: 杜江锋 杨谟华 赵子奇
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  855-858
    摘要: 针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型AlGaN/GaN RESURF HEMT结构....
  • 作者: 刘玉奎 崔伟 张志华 张静 申均 谭开洲
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  859-862,866
    摘要: 研究了传统基区Ge组分分布(矩形分布、三角形分布、梯形分布)在210 K~410 K范围内对SiGe HBT特性的影响.借助TCAD工具进行实验,结果表明,在Ge杂质总量相同的情况下,器件的...
  • 作者: 晏开华 曾未来 罗俊 蒲璞
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  863-866
    摘要: 从分析收发(T/R)组件波控芯片的工作原理及主要测试参数出发,研究了一种小型化自动测试系统.利用FPGA完成数据发送及数据检测,可以大大降低成本、增强系统集成度,使整个测试系统的体积小、重量...
  • 作者: 文忠锋 蒲璞 黄成
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  867-870
    摘要: 采用理论分析和实验相结合的方法,从测试精度和效率两个方面对冷态噪声测试法、两倍功率法和y因子法进行了比较分析.结果表明,在网络分析仪上,冷态噪声测试法比其他方法更适用于研发所需的高精度测试和...
  • 作者: 江丽 王自鑫 粟涛
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  871-875,880
    摘要: 研究了复杂集成电路电磁抗扰性与受测引脚位置的关系.通过建模分析发现,注入受测引脚的电磁杂波通过封装耦合到敏感的时钟模块,导致时钟模块失效,在抗扰性曲线上形成相关结构.因耦合与受测引脚的位置有...
  • 作者: 张晓雯 恩云飞 章晓文 陈鹏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年6期
    页码:  876-880
    摘要: 研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数.利用这些模型参数,分别评价了0.18 μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性.结果表明,...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

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