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微电子学2013年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 在分析电容式MEMS麦克风工作原理的基础上,提出了一种用于电容式MEMS麦克风的读出电路.该读出电路包括低极点频率的高通滤波器和低噪声单位增益缓冲器,高通滤波器用来读出MEMS麦克风在声压作...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器.基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区最小化Vdd·Id的方法,以优化功耗.在共栅晶体管处并联正反馈...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 利用有源电感来实现超宽带低噪声放大器(UWB LNA),不但可以减小芯片面积、改善增益平坦度,而且可通过外部调节偏置电压来调谐有源电感的电感值,进而调整设计中没有考虑到的由工艺变化及封装寄生...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 采用0.13 μm CMOS工艺,设计了一款过温保护电路.芯片内部温度超过109℃时,产生过温保护信号,电路停止工作,从而起到保护作用.为了防止产生热振荡,采用滞回方式.设计实现了在109℃...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 针对GaN HEMT的自身特性,采用电抗匹配放大器结构,基于ADS谐波平衡仿真软件,设计了一个1～2 GHz宽带功率放大器.设计采用Cree公司提供的CGH400系列GaNHEMT大信号模型...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950～2 150 MHz的4×2射频矩阵开关.该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 设计了一种高性能AB类折叠共源共栅CMOS音频放大器.该放大器的输入级采用折叠共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益；输出级采用AB类推挽结构,实现了全摆幅输出.基于65 nm/2.5...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术.针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施.流片测试结果显示,运算放大器的增益和输入失调电压等均达到设计要求.电路具...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺,设计了CZT探测器低噪声读出电路链和一款多通道能量读出ASIC,该电路将应用于8×8 CZT像素探测器的能量读出.给出了系统框图及低噪声能量读出电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 基于0.18 μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法.采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 针对经典Doherty结构在WiMAX应用中存在的某些缺陷,提出了一种大功率管和负载牵引技术相结合的方法,解决了经典Doherty实际输出功率小于其饱和功率的问题.设计了一款应用于3.4～3...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 针对智能充电器芯片待机时需要重复进行电池接入/移除检测、待机功耗较大的缺点,设计了一种新颖的利用锂电池温敏电阻端触发的电池接入/移除检测电路.该电路已被集成到一款基于UMC 0.35 μm ...
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13. 一种新颖的LDO线性稳压器刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 设计了一种新颖的LDO线性稳压器.该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5 V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点.基于0.6 μm SOI CMOS工艺进行流片.测试结果表明,该电...
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14. 投射式电容触摸屏控制芯片设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 设计了一种用于投射式电容触摸屏的新型触摸信号检测方案和触控芯片.采用差分驱动单端感应方法,检测手指触摸导致的互电容变化.该方案可完全消除鬼点,并实现多点触摸的检测.触控芯片的信噪比为23.2...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 针对触发器在纳米级工艺下容易受空间辐射中单粒子效应的影响而产生软错误的情况,基于CPSH触发器结构,研究了一种对单粒子效应中SET/SEU加固的延时采样软错误防护(DSSEP)触发器结构.该...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 介绍了DMA高速传输系统的结构以及DMA的设计,搭建了×8通道的PCIE系统.在整个系统的板卡终端,连接了两个FIFO,提供标准的FIFO接口,能连接光纤数据、CT图像采集数据、A/D采样数...
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17. IIS接口硬件设计与测试刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 利用FPGA设计实现IIS数字音频接口.搭建一个完整的测试系统,对整个硬件系统进行了联调测试.结果显示,该硬件系统能满足实时性要求,并能提供较好的功效比,为基带处理器的ASIC设计提供了良好...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 在带电荷泵的锁相环频率综合器中,设计低杂散锁相环的关键是减少鉴频鉴相器和电荷泵的非理想特性以及提高压控振荡器的性能.采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种改进型锁相环电路.仿...
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19. 一种高效率小功率开关电源设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 随着电子系统小型化,开关电源的体积受到限制,要求开关电源在满足体积的条件下,能够实现高效率指标.分析了影响开关电源效率的各种因素,评估了各种拓扑对体积受限的小功率电源的影响,找到了适合此种电...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 提出了一种采用0.18 μm BiCMOS工艺的多电源信号处理系统的保护电路.保护电路检测各个电源,以确定不同电源的状态,然后给出准确的握手信号,以保障系统正常工作.该电路采用BiCMOS工...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 对具有不同输入端的MOS电流模逻辑(MCML)门电路进行了设计分析,应用MCML单元逻辑电路,设计了一个4位超前进位加法器.基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺平台,对设计的加法器进行...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 基于自主设计的国产UniCore嵌入式平台,分析了安卓电源管理和软件层面的动态变频低功耗技术.在此基础上,提出一种动态变频架构,设计实现了动态时钟供给、动态变频的内核层和驱动层,并对传统的动...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 采用一种量子力学模型,研究了类MOSFET型碳纳米管场效应管(CNTFET)的电流特性.该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)方程和泊松(Poisson)方程自洽全量子数值解.结合器件的工...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 针对低压差线性稳压器,采用接触式脉冲电流注入试验方法,研究电磁脉冲对集成半导体器件的损伤机理,并对试验数据进行统计分析.结果显示,该器件的电磁脉冲损伤阈值规律可以用Weibull分布函数较好...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 通过对ETC公司的商用256 kb和1 Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化.研究发现,器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感.采用重掺杂基区,适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布,可以有...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 线性度是D/A转换器静态误差的重要指标,包括积分非线性误差和微分非线性误差两个参数.高速高精度D/A转换器线性度的测量需要考虑较多因素,包括仪表精度、D/A转换器输出端接方式,甚至负载热效应...
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28. 射频功放数字预失真新方法研究刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 针对传统预失真结构的不足,提出一种双环结构的预失真新方法,实现了直接型与间接型学习结构的结合,在拥有较强抗噪能力的同时,回避了算法收敛性问题.此外,在信号处理过程中加入信号均衡模块,对自适应...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 研究了对MOS结构的γ射线总剂量辐射效应进行Sentaurus TCAD仿真所需模型的有效性.仿真结果表明,Sentaurus TCAD提供的Radiation模型和Traps模型在氧化物中...
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30. 片式多层陶瓷电容失效模式研究刊名： 微电子学发表期刊： 2013年3期页码:摘要： 介绍了片式陶瓷电容的基本结构和材料特性及其常见的短路、开路和参数漂移失效模式；分析了失效的主要原因.结合工程实践,从器件选型、用前筛选、版图及结构设计和装配工艺选择等方面,给出了提高多层陶瓷...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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