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微电子学期刊
出版文献量（篇）
3955
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21140

微电子学

Microelectronics

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 1. 无源高频RFID标签芯片电源产生电路
    作者： 余凯 刘冬生 杜芷君 邹雪城
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  1-5
    摘要： 无源RFID标签芯片的能量来自读写器发射的射频能量.针对符合ISO/IEC15693标准的无源高频(13.56 MHz)RFID标签芯片,对NMOS栅交叉连接整流电路结构进行了研究与设计,实...
  • 2. 单片UHF RFID阅读器中频率综合器的研究
    作者： 张润曦 景为平 石春琦 赖宗声 陈子晏 陈磊 马和良
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  6-10,20
    摘要： 根据EPC global C1G2射频协议要求以及我国的射频识别协议草案,提出了一种应用于860～960 MHz UHF波段单片射频识别(RFID)阅读器的3阶Ⅱ型电荷泵锁相环(CPPLL)...
  • 3. 基于ASIC的直接数字频率合成器前端设计与实现
    作者： 张涛 陈亮
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  11-15,24
    摘要： 对基于ASIC设计流程的直接数字频率合成器(DDS)进行系统架构以及模块划分和算法分析;利用Verilog HDL进行RTL级功能仿真与测试平台的编写;完成模块中所有数字部分的设计、仿真,直...
  • 4. 一种新颖的快速启动零温度系数电流基准
    作者： 叶强 曲玲玲 来新泉 金杰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  16-20
    摘要： 基于三极管BE结电压的负温度特性原理,提出了一种零温度系数电流基准电路.该电路具有结构简单、无需带隙基准单元、静态功耗低、启动快速、对电源电压不敏感等优点,实用性高.在0.5 μm标准CMO...
  • 5. 一种带数字校正的差分基准电压源
    作者： 张俊安 张正平 朱璨 沈晓峰 王成鹤 王永禄
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  21-24
    摘要： 在传统带隙基准源的基础上,设计了一种实用的差分基准电压源.基准核为电流补偿电路,采用D/A控制技术,对差分基准电压进行失调补偿和增益补偿,具有较低的温漂系数和较大的动态电压调整范围与较高的调...
  • 6. 一种用于CMOS A/D转换器的带隙基准电压源
    作者： 周永峰 姚辉亚 戴庆元 李冬超 林刚磊 邵金柱
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  25-28,33
    摘要： 设计了一种用于CMoS A/D转换器的带隙基准电压源.该电路消除了传统带隙基准电压源中运算放大器的失调电压及电源电压抑制比对基准源指标的限制,具有很高的精度和较好的电源电压抑制比.电路采用中...
  • 7. 低抖动锁相环中压控振荡器的设计
    作者： 吴金 梁岩
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  29-33
    摘要： 压控振荡器(VC0)作为PLL系统中的关键模块,其相位噪声对PLL相位噪声和抖动产生决定性影响.在对PLl系统噪声及VCO相位噪声分析的基础上,基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了...
  • 8. 采用曲率补偿的高PSRR基准电压源
    作者： 唐祯安 杨金梅
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  34-37
    摘要： 设计了一种输出电压为1.5 V的带隙基准电路.该电路采用标准CMOS工艺,工作电压为3～6.5 V.采用一种简洁的曲率补偿技术,使输出基准电压温度系数达到3×10-6V/℃.由于采用共源共栅...
  • 9. 一种高精度曲率补偿带隙基准电路
    作者： 吕坚 李华 蒋亚东
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  38-41
    摘要： 设计了一种高精度高阶补偿的带隙基准参考电压电路,通过Buck氏电压转移单元和与 温度无关的电流对VBE进行高阶补偿.测试表明,温度在-45℃～125℃时,温度系数为5.9X 10-6V/℃,...
  • 10. 一种新型热关断电路的设计
    作者： 冯全源 张彬
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  42-44,48
    摘要： 提出了一种新型BiCMOS过热关断电路.该电路结构简单、功耗较低、迟滞温度范围基本保持不变,可集成在电源管理芯片中作为过热保护模块使用.采用0.6,um BiCMOS工艺,对电路进行HSPI...
  • 11. 一种带2阶补偿的高精度带隙基准源
    作者： 张林 徐世六 王敬 胡永贵
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  45-48
    摘要： 介绍了一种采用2阶补偿技术的高精度带隙基准电路.通过增加预基准电路,提高了电源抑制比.通过PTAT2电路补偿VBE的2阶项,改善了基准电压的温度特性.Hspice仿真结果表明,在-55℃～1...
  • 12. 一种低功耗射频CMOS电荷泵锁相环的设计
    作者： 周海峰 程维维 董树荣 韩晓霞 韩雁
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  49-52,57
    摘要： 描述了基于P型CSL(Current Steer Logic)架构压控振荡器的低功耗射频锁相环设计.其鉴频鉴相器模块采用预充电模式,具有高速、无死区等特点;电荷泵模块在提高开关速度的基础上,...
  • 13. 任意阶开关电流低通滤波器的系统设计
    作者： 何怡刚 龙英
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  53-57
    摘要： 提出了任意阶开关电流低通滤波器的一种系统设计方法,该方法遵循从RLC滤波器到有源RC滤波器,再到开关电容滤波器,最后到开关电流滤波器的顺序进行设计,方法简单易行.给出了3阶开关电流低通滤波器...
  • 14. 多指条形GG-NMOS结构ESD保护电路
    作者： 冯全源 徐伟
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  58-61
    摘要： 对采用多指条形GGNMOS结构的ESD保护电路的工作原理进行分析,并对其进行ESD测试实验.理论分析了影响ESD性能的一些因素,提出一种栅耦合技术保护电路方案,并达到了设计要求.实验结果显示...
  • 15. 混合信号IC的ESD保护电路设计
    作者： 傅东兵 刘军
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  62-64,68
    摘要： 从电路设计的角度,介绍了混合信号IC的输入、输出、电源箝位ESD保护电路.在此基础上,构建了一种混合信号IC全芯片ESD保护电路结构.该结构采用二极管正偏放电模式,以实现在较小的寄生电容情况...
  • 16. 8通道音频采样频率转换器设计与ASIC实现
    作者： 匡海鹏 王德江 蔡希昌
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  65-68
    摘要： 描述了一个最大可处理8通道、192 kHz、24比特数据位宽的高品质数字音频采样频率转换器,采样频率转换比为2:1,4:1.该转换器采用改进的时分复用和无乘法滤波器结构,以及一种新型的SRA...
  • 17. 基于动态可重构的FFT处理器的设计与实现
    作者： 刘欢 李广军 潘伟
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  69-72
    摘要： 提出了一种基于局部动态可重构(DPR)的新型可重构FFT处理器.相比传统的FFT设计,该设计方法在重构时间上得到了很大改进,同时,处理器能够动态地添加或移除重构单元.采用新颖的FFT控制算法...
  • 18. 汽车ABS轮速传感器信号处理芯片的设计
    作者： 谢飞 辛晓宁
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  73-76
    摘要： 基于2μm 40 V 双极工艺,设计了一种汽车ABS轮速传感器信号处理芯片.整体电路结构新颖实用,其中针对使用环境,对带隙基准电压源、多级放大滤波电路及整形比较电路等,给予了特殊考虑.利用C...
  • 19. 用于降压型DC-DC转换器的死区时间控制电路
    作者： 吕英杰 张小兴 戴宇杰 陈冠旭
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  77-80
    摘要： 介绍了降压型DC-DC转换器的死区时间产生原理,给出一种死区时间控制电路.它通过采样电感中的电流,动态地调节死区延时,减小体二极管的导通时间,并且可抑制振铃现象的产生.在Cadence环境下...
  • 20. 一种大电流高速PIN驱动器的设计与实现
    作者： 叶红松 李洋 杨阳
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  81-84
    摘要： 介绍了一种大电流高速驱动器.该驱动器包含输入差分比较电路、内部基准电路、倒相缓冲电路、输出功放电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行转换,输出+5 V/-15 V信号;通过改变外部引脚的连...
  • 21. 一种新型EL冷光驱动芯片的设计
    作者： 于心亮 常胜 马建伟 黄启俊
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  85-89
    摘要： 阐述了一种新型EL冷光驱动芯片的设计.该电路内部采用两级升压结构和SPWM控制策略,以及可以与低压工艺兼容的高压管结构.详细描述了各个模块电路的设计,完成了版图布局.仿真结果表明,该电路可以...
  • 22. 基于混合宏模型的无电容型LDO设计
    作者： 杨诗洋 邹志革 邹雪城 陈晓飞 雷鳢铭
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  90-93,100
    摘要： 模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率.提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计.基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于...
  • 23. 电子元器件热电冷却技术研究进展
    作者： 朱冬生 王长宏 胡韩莹 雷俊禧
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  94-100
    摘要： 在深刻分析热电制冷机理的基础上,结合国内外学者对热电制冷技术用于电子元器件热管理的理论分析,从芯片整体表面散热和局部热点消除两方面,详细介绍了集成电路芯片热电冷却实验的国内外研究进展;对芯片...
  • 24. DC/DC电源模块的有限元热分析
    作者： 吕长志 李志国 王元春 马卫东
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  101-104
    摘要： 为解决电源模块的热可靠性问题,利用有限元热分析软件ANSYS对其进行热分析,得到整个模块的温度场分布情况;分析了模块中各生热元件的温升及其之间的热耦合情况;根据热分析结果提出热设计方法.最后...
  • 25. 基于VPR的层次式FPGA结构描述方法研究
    作者： 刘攀 周强 张峥 朱珂 钱旭
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  105-110
    摘要： 针对层次式FPGA结构设计的需要,提出一种基于VPR的FPGA结构文件描述方法.该方法可以描述多种层次式FPGA的系统结构,实现同VPR布线功能的集成,方便进行FPGA结构设计的验证.实验证...
  • 26. 用于流水线A/D转换器的改进型数字自校准算法
    作者： 吴金 姚建楠 李冰 钱黎明
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  111-115
    摘要： 数字自校准算法在高精度流水线ADC中应用越来越广泛.目前,基于数字自校准算法的流水线ADC的结构一般都是1.5位/级.基于对各种结构优缺点的分析,选择在芯片功耗和面积方面有很强优势的2位/级...
  • 27. 一种可测性调度分配方法
    作者： 孙强 马光胜
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  116-119
    摘要： 提出一种基于演化算法的可测性调度分配方法.应用演化算法,在调度和分配过程中研究电路的可测性设计.该方法的贡献是:给出了三个可测性准则;设计了可测性目标函数;提出了一种新颖的演化编码和演化操作...
  • 28. 电流舵D/A转换器的随机误差建模
    作者： 于奇 沈路 王向展 罗彦
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  120-123,136
    摘要： 电流源的失配是制约电流舵D/A转换器精度的一个重要因素.它是一个随机现象,需要用统计的观点进行分析.两个晶体管之间的失配,既与晶体管尺寸有关,又与晶体管之间的距离有关.以往的分析中,只考虑了...
  • 29. 6H-SiC埋沟MOSFET的C-V解析模型研究
    作者： 唐政维 王巍 王玉青 申君君 秘俊杰
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  124-127,140
    摘要： 研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压特性,建立了解析模型.具体分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与栅电压之间的关系,考虑了SiO2/SiC界面态及pn结对电容-电压特性...
  • 30. 剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响
    作者： 任迪远 余学锋 孙静 张军 文林 王改丽 郑玉展 郭旗 陆妩
    刊名： 微电子学
    发表期刊： 2009年1期
    页码:  128-131
    摘要： 研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应.在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性.试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

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