多指条形GG-NMOS结构ESD保护电路

• 作者: 冯全源 徐伟
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 多指条 栅极接地NMOS 人体放电模型
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 58-61
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2750字
• 语种: 中文

摘要

对采用多指条形GGNMOS结构的ESD保护电路的工作原理进行分析,并对其进行ESD测试实验.理论分析了影响ESD性能的一些因素,提出一种栅耦合技术保护电路方案,并达到了设计要求.实验结果显示,其性能已达到人体放电模式(HBM)的2级标准(2 000～4 000 V).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	徐伟	西南交通大学微电子研究所	6	22	3.0	4.0