一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路

• 作者: 张冰 杨银堂 柴常春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 保护电路 传输线脉冲 人体模型
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1808-1812
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.033

摘要

根据伞芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新犁结构保护电路,采用0.6μm标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证.通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下,本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%,静态电流更低,而抗ESD电压提高了近32%.该保护电路通过了5kV的人体模型测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	张冰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	228	8.0	14.0
3	柴常春	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0