CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路设计

• 作者: 朱志炜 杜鸣 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ESD GG-NMOS 人体放电模式 栅耦合
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1619-1622
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.028

摘要

采用GG-NMOS结构的ESD保护电路的工作原理和对其进行的ESD实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果.通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2级标准.在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD导致的栅氧化层损伤的微观机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	5	73	3.0	5.0
2	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
3	朱志炜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	96	5.0	8.0