SiGe HBT逻辑电路抗辐射设计加固技术

• 作者: 胡刚毅 赖凡
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 抗辐射设计加固 逻辑电路 SiGe HBT
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 94-98
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 4081字
• 语种: 中文

摘要

微电子抗辐射设计加固(Radiation Hardening By Design,RHBD)是指在电路设计中采用特殊版图或电路结构达到抗辐射电路的性能要求,且该电路应能使用标准商用生产线的工艺技术进行制造.论述了几种采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)的逻辑电路设计加固技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赖凡	中国电子科技集团公司第二十四研究所	16	157	6.0	12.0
2	胡刚毅	中国电子科技集团公司第二十四研究所	8	14	3.0	3.0