功率VDMOS器件低剂量率辐射损伤效应研究

• 作者: 刘刚 宋李梅 张彦飞 王立新 韩郑生 高博
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 抗辐射加固 总剂量辐射 剂量率辐射 辐射效应
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 115-119,124
• 页数: 6页
• 分类号: TN368.1
• 字数: 2287字
• 语种: 中文

摘要

研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系.实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参数的漂移量相差不大,不具有低剂量率辐射损伤增强效应.认为可以用高剂量率辐照后高温退火的方法评估器件的总剂量辐射损伤.实验结果为该型号抗辐射加固功率VDMOS器件在航空、航天等特殊领域的应用提供了技术支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
3	刘刚	中国科学院微电子研究所	207	2369	24.0	40.0
4	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
5	高博	中国科学院微电子研究所	13	52	4.0	7.0
6	张彦飞	中国科学院微电子研究所	5	18	3.0	4.0