微电子学期刊
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微电子学

Microelectronics

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影响因子 0.2976
本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识,介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论,微电子器件与电路, 集成电路,半导体工艺和制造技术,集成电路封装技术,多芯片组件技术,集成电路可靠性技术,片上系统,集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录,是中国核心期刊之一。
主办单位:
四川固体电路研究所
期刊荣誉:
中文核心期刊  信息产业部优秀电子科技期刊 
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
出版周期:
双月刊
邮编:
400060
地址:
重庆市南坪花园路14号24所
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  • 作者: 刘冬华 石晶 钱文生
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  270-273
    摘要: 随着栅氧化层厚度的不断减小,硼穿通问题变得越来越严重.特别是在表面沟道器件中,非常容易出现硼穿通现象.为了减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响,需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的...
  • 作者: 周谦 李竞春 杨谟华 王向展 罗谦
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  274-277
    摘要: 针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术.X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶.材料表...
  • 作者: 刘玉奎 孙鹏 陈文锁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  278-281
    摘要: 提出了一种利用高能离子注入形成的700 V三层RESURF结构nLDMOS.与双RESURF结构漂移区表面注入形成P-top层不同,三层RESURF结构在漂移区内部形成P型埋层,漂移区表面保...
  • 作者: 张姗姗 李其昌 王广龙 王竹林 高凤岐 高敏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  282-286
    摘要: 为了克服石英玻璃和Pyrex 7740玻璃制作微流管道价格昂贵、工艺流程复杂等缺点,利用普通钠钙玻璃为基质、正光刻胶AZ4620为掩膜牺牲层,提出了一种高效、快速、低成本的微流管道制作方法....
  • 作者: 吴杰 方健 臧凯旋 贺雅娟 陶垠波
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  287-291
    摘要: 提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了...
  • 作者: 姚成军 施道航 焦广泛 黄大鸣
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  292-295
    摘要: 基于二维器件仿真工具,研究了量子效应和小型化对双栅隧穿场效应晶体管的特性和可靠性的影响.隧穿晶体管中的量子效应除了带间隧穿,还包括量子统计效应和垂直沟道方向的量子限制效应.研究表明,量子统计...
  • 作者: 孟畅 蔡懿慈
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年2期
    页码:  296-300
    摘要: 现有的拥挤度评估方法都是基于布线边的当前使用量和历史使用量,无法评估布线边周围布线资源使用情况对拥挤度的影响.提出了一种数据场拥挤度建模方法,根据数据场中势能和场强分布情况,对布线边所在区域...
  • 作者: 徐世六 赖凡
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  301-307
    摘要: 运用翔实的事实和数据,分析研究集成电路技术和产业发展规律.提出发展我国集成电路(包括IP)产业的竞争力是推动自主可控系统芯片发展的较好途径.
  • 作者: 乔东海 吕爽 周锋 徐栋 李富华 陈伟庆
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  308-311
    摘要: 在分析电容式MEMS麦克风工作原理的基础上,提出了一种用于电容式MEMS麦克风的读出电路.该读出电路包括低极点频率的高通滤波器和低噪声单位增益缓冲器,高通滤波器用来读出MEMS麦克风在声压作...
  • 作者: 沈琪 王伟印 赵琳娜 顾晓峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  312-315
    摘要: 设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器.基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区最小化Vdd·Id的方法,以优化功耗.在共栅晶体管处并联正反馈...
  • 作者: 丁春宝 张万荣 张瑜洁 谢红云 路志义 邢光辉 郭振杰 金冬月
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  316-320
    摘要: 利用有源电感来实现超宽带低噪声放大器(UWB LNA),不但可以减小芯片面积、改善增益平坦度,而且可通过外部调节偏置电压来调谐有源电感的电感值,进而调整设计中没有考虑到的由工艺变化及封装寄生...
  • 作者: 刘磊 李航标 罗萍
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  321-324
    摘要: 采用0.13 μm CMOS工艺,设计了一款过温保护电路.芯片内部温度超过109℃时,产生过温保护信号,电路停止工作,从而起到保护作用.为了防止产生热振荡,采用滞回方式.设计实现了在109℃...
  • 作者: 沈川 肖仕伟 谢晓峰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  325-328
    摘要: 针对GaN HEMT的自身特性,采用电抗匹配放大器结构,基于ADS谐波平衡仿真软件,设计了一个1~2 GHz宽带功率放大器.设计采用Cree公司提供的CGH400系列GaNHEMT大信号模型...
  • 作者: 刘宇辙 张海鹏 杨洪文 汪洋 阎跃鹏
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  329-332,336
    摘要: 基于0.5μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种应用于950~2 150 MHz的4×2射频矩阵开关.该矩阵开关有四路输入两路输出,通过控制片内集成的4比特数字逻辑解码器电路,两路输出端...
  • 作者: 倪春晓 宁宁 宋文青 徐双恒 朱波 李靖 郑杰
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  333-336
    摘要: 设计了一种高性能AB类折叠共源共栅CMOS音频放大器.该放大器的输入级采用折叠共源共栅结构,可以优化输入共模范围,提高增益;输出级采用AB类推挽结构,实现了全摆幅输出.基于65 nm/2.5...
  • 作者: 徐佳丽 杨阳 黄文刚
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  337-340
    摘要: 根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术.针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施.流片测试结果显示,运算放大器的增益和输入失调电压等均达到设计要求.电路具...
  • 作者: 曾蕙明 高武 魏廷存
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  341-344,349
    摘要: 采用TSMC 0.35 μm CMOS工艺,设计了CZT探测器低噪声读出电路链和一款多通道能量读出ASIC,该电路将应用于8×8 CZT像素探测器的能量读出.给出了系统框图及低噪声能量读出电...
  • 作者: 朱科翰 柯逸辰 顾晓峰 高国平
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  345-349
    摘要: 基于0.18 μm CMOS工艺,介绍了一种UHF频段低噪声放大器(LNA)与静电放电(ESD)保护器件的协同设计和电路仿真方法.采用传输线脉冲测试系统,测得ESD二极管的正向热失效击穿电流...
  • 作者: 南敬昌 李厚儒 李蕾 杜学坤
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  350-353,358
    摘要: 针对经典Doherty结构在WiMAX应用中存在的某些缺陷,提出了一种大功率管和负载牵引技术相结合的方法,解决了经典Doherty实际输出功率小于其饱和功率的问题.设计了一款应用于3.4~3...
  • 作者: 全思 文常保 李演明 毛翔宇 温立民
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  354-358
    摘要: 针对智能充电器芯片待机时需要重复进行电池接入/移除检测、待机功耗较大的缺点,设计了一种新颖的利用锂电池温敏电阻端触发的电池接入/移除检测电路.该电路已被集成到一款基于UMC 0.35 μm ...
  • 作者: 万辉 刘聚川
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  359-363,368
    摘要: 设计了一种新颖的LDO线性稳压器.该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5 V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点.基于0.6 μm SOI CMOS工艺进行流片.测试结果表明,该电...
  • 作者: 刘伟 李博 詹思维 魏廷存
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  364-368
    摘要: 设计了一种用于投射式电容触摸屏的新型触摸信号检测方案和触控芯片.采用差分驱动单端感应方法,检测手指触摸导致的互电容变化.该方案可完全消除鬼点,并实现多点触摸的检测.触控芯片的信噪比为23.2...
  • 作者: 周荣俊 唐夏 张秉煜 张金艺 李娟娟
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  369-374
    摘要: 针对触发器在纳米级工艺下容易受空间辐射中单粒子效应的影响而产生软错误的情况,基于CPSH触发器结构,研究了一种对单粒子效应中SET/SEU加固的延时采样软错误防护(DSSEP)触发器结构.该...
  • 作者: 于奇 宁宁 曹英帅 李念龙 董铸祥
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  375-378
    摘要: 提出了一种新型的恒流输出驱动电路,该电路保持了传统电路的低负载电压调整率,同时,采用瞬间增强运放驱动的方式,提升了电路的开启速度.基于0.25 μm BCD工艺,完成HSPICE仿真.结果表...
  • 作者: 付英 辛晓宁
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  379-382
    摘要: 典型BCD工艺不支持高精度、低温度系数的电阻,在将电压源转换为恒流源时温度特性较差.利用差分温度检测电路,提出一种新颖的温度补偿方法,可在高温段和低温段产生补偿电流,与基本恒流源电流叠加,可...
  • 作者: 侯杭呈 李辉 王忆文
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  383-386
    摘要: 介绍了DMA高速传输系统的结构以及DMA的设计,搭建了×8通道的PCIE系统.在整个系统的板卡终端,连接了两个FIFO,提供标准的FIFO接口,能连接光纤数据、CT图像采集数据、A/D采样数...
  • 作者: 林峰 许昕
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  387-389,394
    摘要: 利用FPGA设计实现IIS数字音频接口.搭建一个完整的测试系统,对整个硬件系统进行了联调测试.结果显示,该硬件系统能满足实时性要求,并能提供较好的功效比,为基带处理器的ASIC设计提供了良好...
  • 作者: 吕威 吴秀山 郇昌红
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  390-394
    摘要: 在带电荷泵的锁相环频率综合器中,设计低杂散锁相环的关键是减少鉴频鉴相器和电荷泵的非理想特性以及提高压控振荡器的性能.采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种改进型锁相环电路.仿...
  • 作者: 余海生 廖建军 鄢毅之
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  395-400
    摘要: 随着电子系统小型化,开关电源的体积受到限制,要求开关电源在满足体积的条件下,能够实现高效率指标.分析了影响开关电源效率的各种因素,评估了各种拓扑对体积受限的小功率电源的影响,找到了适合此种电...
  • 作者: 刘军 张俊安 杨毓军 胡蓉彬 苏晨
    刊名: 微电子学
    发表期刊: 2013年3期
    页码:  401-404
    摘要: 提出了一种采用0.18 μm BiCMOS工艺的多电源信号处理系统的保护电路.保护电路检测各个电源,以确定不同电源的状态,然后给出准确的握手信号,以保障系统正常工作.该电路采用BiCMOS工...

微电子学基本信息

刊名 微电子学 主编 武俊齐
曾用名
主办单位 四川固体电路研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1004-3365 CN 50-1090/TN
邮编 400060 电子邮箱 wdzx@sisc.com.cn
电话 023-62834360 网址 wdzx.sisc.com.cn
地址 重庆市南坪花园路14号24所

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