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微电子学2013年出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
总被引数（次）
21140
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
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121. 一种带频率抖动功能的振荡器电路的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了一种带频率抖动功能的振荡器,该振荡器结构简单、频率抖动效果明显,通过周期性改变振荡器内部比较器的比较阈值达到频率抖动的效果,可有效降低芯片电磁干扰.使用0.5 μm BCD工艺对电路进...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了指数函数传统的FPGA实现方法,分析其硬件开销及运算精度.在此基础上,基于Simulink开发工具,提出了一种运用查找表思想在FPGA上实现指数函数的新方法.该方法具有硬件资源消耗少,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 对FIR滤波器中的乘法如何在FPGA得到高效实现进行了研究.结合FPGA查找表结构,兼顾资源和速度的要求,采用改进的分布式算法,设计了20阶常系数FIR滤波器.在此基础上,用OBC编码对其查...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 采用标准0.18 μm CMOS工艺,设计了一款应用于900 MHz UHF RFID读写器的有源I/Q正交上混频器.通过直流电平转换电路控制I/Q支路的信号输入,实现了ISO/IEC 18...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 提出一种新的双分支Hammerstein-Wiener模型,对功放进行非线性行为建模及数字预失真研究.利用飞思卡尔半导体公司的MRF7S21170晶体管进行功放电路设计,从ADS中导出输入输...
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126. 反熔丝FPGA布局布线算法研究刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 介绍了反熔丝FPGA及其布局布线算法的研究现状,讨论了目前最为流行的FPGA布局布线的基本原理与实现方式.针对反熔丝FPGA的结构对布局布线算法进行了改进,并在CAD实验平台上实现了改进算法...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 针对神经网络和支持向量机在射频功率放大器建模领域存在的优缺点,提出一种利用PSO_SVM算法对射频功率放大器进行建模的方法.从理论上分析了支持向量机(SVM)及粒子群优化(PSO)算法的相关...
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128. 半导体器件的长期贮存失效机理及加速模型刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 加速应力试验是评价长期贮存一次性使用半导体器件贮存可靠性的最重要途径之一.针对半导体器件不同的失效机理,选择合理、准确的加速应力模型,是定量分析半导体器件贮存寿命的基础.介绍了半导体器件在长...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 双极晶体管的辐照总剂量效应主要表现为电流增益下降和漏电流增加.工艺相同、发射结结深不同的LPNP双极晶体管的抗辐照敏感性不同,浅发射结LPNP的抗辐照性能更强.由于离子注入前氧化层的影响,厚...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET.通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻.MEDICI TCAD仿真结果表明:在281...
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131. 国内集成电路发展现状及其跨越发展的对策刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 基于国际集成电路技术和产业发展趋势,结合国内集成电路发展现状,研究实现跨越发展的对策.提出通过顶层构建,前瞻性合理布局产业链;引进消化吸收再创新,实现专利升级并有偿共享,加速突破技术障碍;完...
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132. 新型纳米材料在微电子技术中的应用探究刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 针对特征尺寸减小给微电子技术带来的问题,简述了纳米材料的几种量子效应；着重介绍了新型纳米半导体材料(碳纳米管和石墨烯)在后摩尔时代的微电子技术中的应用;探讨了碳纳米管和石墨烯在纳电子器件、集...
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133. N面GaN材料及器件的研究进展刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： N面GaN材料及器件是宽禁带半导体技术中的重要研究内容.对N面GaN材料及器件的概念、优势、研究现状以及存在的问题进行了系统的分析.在此基础上,论述了N面GaN材料及器件未来的发展趋势.
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134. 横向超结器件衬底辅助耗尽效应的研究与展望刊名： 微电子学发表期刊： 2013年4期页码:摘要： 横向超结双扩散MOS (SJ-LDMOS)的性能优越,在高压集成电路和功率集成电路中具有广阔的应用前景,而衬底辅助耗尽效应是制约横向超结功率器件性能的重要因素之一.分析了SJ-LDMOS衬底...
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135. 基于平衡结构的高效率E类功率放大器设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 针对E类功率放大器输入输出回波损耗较大的缺陷,提出采用平衡结构的E类功率放大器的设计方法.仿真结果显示,在输入为28 dBm时,功率附加效率(PAE)达到最大(85.2％),集电极效率η为8...
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136. LED负载LLC谐振变换器参数设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 由于LED负载的等效电阻具有可变的特性,传统的电阻负载LLC谐振电路参数设计方法不再适用于LED负载LLC谐振电路参数设计.在电阻负载LLC谐振电路参数设计的基础上,提出一种新的设计方法,使...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 介绍了一种用于X射线安全检测的多通道电荷读出集成电路.该电路可提供32通道的探测器电荷-模拟电压转换,具有无死区时间、失调校准和低噪声特性.电路由电荷放大器增益控制、时序发生器、移位寄存器链...
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138. 一种线性RC压控振荡器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性RC压控振荡器.在传统RC振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制.仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～28...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 提出了一种用于LLC模式LED驱动的精确调光补偿算法及电路.在开启过程中,积累LED电流实际值与预设值的偏差量,在PWM关断信号出现后,释放积累电荷量并推迟环路关断,实现精确调光补偿效果.基...
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140. 开环载波抑制设计方法研究刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 分析了射频发射机中影响载波抑制(CSR)特性的因素,提出相应的解决方法.为验证该设计方法,设计了一款含锁相环频率合成器的射频发射机,并进行流片.实验结果表明,在不进行任何修调和校准的情况下,...
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141. RFID系统中的低通滤波器设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 介绍了一种用于RFID系统的有源RC低通滤波器.该滤波器是一个6阶巴特沃斯型滤波器,包含三个级联的Tow-Thomas二次节.采用直流失调消除电路,有效地降低了直流失调；使用自动频率校准电路...
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142. 一种宽范围高精度电容倍增器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 为了解决在集成电路中难以制作大容量电容器的问题,采用3个差分式数字控制线性可调跨导运算放大器(POTA)和1个接地电容,实现了一个浮地电容倍增器.通过调节POTA的控制字,可实现电容倍增器电...
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143. 基于遗传算法的开关电流存储电路的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 针对开关电流存储电路存在固有误差和电路器件参数需要大量手工迭代计算等难题,提出基于遗传算法的开关电流存储电路设计方法.其主要思想是以Class AB栅极接地存储电路为基础,对其进行小信号模型...
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144. 一种基于固定关断时间的LED驱动芯片设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 设计了一种降压型恒流LED驱动芯片,采用PFM模式控制,可支持7～40V的宽输入电压,内部功率管具有固定的关断时间,其开关频率最高可达1 MHz,效率高达90％以上.该芯片可支持线性调光和P...
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145. 基于编程电流/电压的相变存储器写驱动电路刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流扣电压脉冲编程的写驱动电路.针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生...
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146. 连续相位调制解调器的FPGA实现刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 针对连续相位调制解调硬件实现复杂度高的问题,提出一种基于FPGA的低复杂度硬件实现方案.该方案中,调制器采用查表法,解调器采用Max-Log-MAP算法.该方案具有复杂度低、速度快、易于生成...
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147. 一种40次倍频器的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 设计了一种以阶跃恢复二极管作为核心元件的高次倍频电路.对倍频电路原理进行了分析,并对成品电路进行了测试.测试结果表明,相位噪声比理论值恶化了2dBc.使用1级阶跃倍频电路实现40次倍频,电路...
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148. 基于TL494的逆变电源系统环路设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 介绍了一种基于TL494芯片、可应用于移动设备的高性能逆变电源.重点研究了一种能应用在通用PWM控制芯片上的新颖逆变电源环路反馈和补偿方案.该方案采用两级反馈,利用电流叠加原理,设计了电压采...
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149. 低功耗跨导-电容滤波器及其调谐电路的设计刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 设计了一种以Nauta跨导为单元结构的5阶切比雪夫跨导-电容带通滤波器及其调谐电路.该电路应用于低中频结构的北斗卫星导航接收机射频前端.滤波器的中心频率为4.092MHz,带宽设计为±2.0...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2013年5期页码:摘要： 通过研究嵌入式闪存结构和接口及其时序信息,结合电容式触摸屏的应用环境,同时考虑闪存测试的需求,设计并实现了一种嵌入式闪存专用控制电路.设计以I2C(Inter-Integrated Circ...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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