SOI NMOS器件总剂量辐照退火特性分析

• 作者: 何玉娟 恩云飞 罗宏伟
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐照 SOI MOSFET 退火
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 111-114
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 1776字
• 语种: 中文

摘要

研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性.结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效应比常温时更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何玉娟		9	51	4.0	7.0
2	罗宏伟		12	65	5.0	7.0
3	恩云飞		12	57	5.0	7.0