一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法

• 作者: 吴建伟 朱少立 李艳艳 潘滨 顾祥
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI器件 SPICE模型参数 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2451字
• 语种: 中文

摘要

从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0 krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100 krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾祥		9	10	2.0	2.0
2	吴建伟		25	39	4.0	4.0
3	潘滨		5	5	1.0	1.0
4	朱少立		4	5	1.0	2.0
5	李艳艳		4	11	2.0	3.0