γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析

• 作者: 刘杰 潘立丁 石瑞英 龚敏
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 多栅NMOS 转移特性 不均匀辐照 总剂量效应 计算机仿真
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 252-256
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1|TP391.9
• 字数: 2250字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.084003

摘要

在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道.经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象.计算机仿真结果表明:受到剂量不均匀的辐照后,多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅二氧化硅界面电荷浓度不一致,使各栅极阈值电压不同步漂移,导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉.通过仿真验证能够说明,所提出的假设合理地解释了实验中的现象.