NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究

• 作者: 勾秋静 李冬梅 李国林 王志华 皇甫丽英 雷有华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: NMOS晶体管 辐照效应 总剂量
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 748-751
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 3997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.005

摘要

采用商用标准0.6 μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冬梅	清华大学电子工程系	81	611	13.0	21.0
2	皇甫丽英	清华大学电子工程系	12	48	5.0	6.0
3	勾秋静	清华大学电子工程系	10	44	4.0	6.0
4	王志华	清华大学微电子学研究所	183	1964	21.0	36.0
5	李国林	清华大学电子工程系	38	213	10.0	13.0
6	雷有华	清华大学电子工程系	6	28	3.0	5.0