三维H形栅SOI NMOS器件总剂量条件下的单粒子效应*

• 作者: 刘红侠 卓青青 王志
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单粒子脉冲电流 漏极收集电荷 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2013,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 380-385
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.176106

摘要

本文通过数值模拟研究了H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。首先通过分析仿真程序中影响迁移率的物理模型，发现通过修改了的由于表面散射造成迁移率退化的Lombardi模型，仿真的SOI晶体管转移特性和实测数据非常符合。然后使用该模型，仿真研究了处于截止态(VD=5 V)的H形栅SOI NMOS器件在总剂量条件下的单粒子效应。结果表明：随着总剂量水平的增加，器件在同等条件的重离子注入下，产生的最大漏极电流脉冲只是稍有增大，但是漏极收集电荷随总剂量水平大幅增加。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	卓青青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	33	4.0	5.0
3	王志	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	10	2.0	2.0