一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型

• 作者: 卜建辉 姜一波 杜寰 王帅 韩郑生 龚鸿雁
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 漂移区电阻 大信号模型 自加热效应
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 模型与算法
• 页码范围: 130-133
• 页数: 4页
• 分类号: TP386.1
• 字数: 2327字
• 语种: 中文

摘要

提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型.LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型.根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型.模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
3	王帅	中国科学院微电子研究所	133	716	13.0	21.0
4	姜一波	中国科学院微电子研究所	5	9	3.0	3.0
5	龚鸿雁	中国科学院微电子研究所	2	6	2.0	2.0
6	卜建辉	中国科学院微电子研究所	4	8	2.0	2.0