一种SiGe BiCMOS高速PNP器件的设计

• 作者: 刘冬华 郁芳 钱文生
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: PNP晶体管 SiGe BiCMOS 电流增益 特征频率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 99-102,106
• 页数: 5页
• 分类号: TN32|TN433
• 字数: 3451字
• 语种: 中文

摘要

设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性.基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致.最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10 GHz.该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能.