基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长技术

• 作者: 周谦 李竞春 杨谟华 王向展 罗谦
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 锗锡合金 应变锗沟道 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 离子注入 快速热退火
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 125-129
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 4148字
• 语种: 中文

摘要

针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X射线衍射、透射电子显微镜和方块电阻等测试.结果表明,采用快速热退火,可将单晶Ge衬底中的Sn原子激发至替位式位置,形成GeSn合金.当退火温度为400℃时,Sn原子激活率为100％,其峰值浓度固定为1×1021 cm-3,与Sn的初始注入剂量无关.该技术与现有CMOS工艺兼容,附加成本低,适用于单轴压应变Ge沟道MOSFET的大规模生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
2	李竞春	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	81	5.0	6.0
3	王向展	电子科技大学微电子与固体电子学院	32	142	7.0	9.0
4	罗谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	19	63	5.0	6.0
5	周谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	12	2.0	3.0