大功率硅-硅直接键合静电感应晶闸管的研制

• 作者: 姜岩峰 黄庆安
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 硅-硅直接键合 静电感应晶闸管 电力器件
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 416-419
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.7
• 字数: 3116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.023

摘要

文章提出了用硅-硅直接键合(SDB)工艺替代静电感应晶闸管(SITH)中的二次外延,有效地提高了栅阴极击穿电压,增强了通过栅极正向阻断阳极电压的能力.对键合过程中硅-硅界面进行了研究,提出了提高界面质量的工艺措施;同时,给出了控制栅阴极击穿电压一致性的方法.对采用此方法制成的SITH的I-V特性进行了测量,并给出了实际测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜岩峰	北方工业大学信息工程学院	44	285	7.0	15.0