静电感应晶体管大电流特性的改善

• 作者: 刘春娟 吴蓉 李思渊 王永顺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电感应晶体管 栅效率 本征静电增益 灵敏度因子
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1192-1197
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.6
• 字数: 903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.006

摘要

描述了改善静电感应晶体管(SIT)大电流特性的新方法. 首次定义了从不同角度表征SIT电特性的重要因子,如单位沟道宽度跨导、栅效率、灵敏度因子和本征静电增益. 从理论和工艺实践上研究了这些因子与几何结构之间的关系,揭示了器件电性能对几何结构和工艺参数的依赖关系. 设计建立了SIT频率参数和功率参数测试方法和电路,深入讨论了封装工艺对SIT电性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
2	吴蓉	兰州交通大学电子与信息工程学院	31	88	6.0	7.0
3	刘春娟	兰州交通大学电子与信息工程学院	24	109	6.0	10.0
4	李思渊	兰州交通大学电子与信息工程学院	1	7	1.0	1.0