埋栅型电力静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ特性反向转折机理

• 作者: 吴蓉 李思渊 李海蓉 王永顺
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电力静电感应晶闸管 反向转折 电子-空穴等离子体 寿命 注入水平
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 461-466
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.7
• 字数: 910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.012

摘要

研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效应、沟道中的电子-空穴等离子体和载流子寿命变化的基础上分析了静电感应晶闸管的反向转折特性.首次给出了反向转折机理的理论解释,并给出了估算转折电压和电流的数学表达式,在常用工艺参数范围内,计算结果和实验测量值基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李思渊	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	25	113	7.0	9.0
2	王永顺	兰州交通大学电子与信息工程学院	35	128	7.0	9.0
3	李海蓉	兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所	18	81	5.0	8.0
4	吴蓉	兰州交通大学电子与信息工程学院	31	88	6.0	7.0