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摘要:
针对双列直插封装的大功率MCM,建立了简化的热学模型;利用有限元数值方法,在ANSYS软件平台下,对其三维温场进行了稳态模拟和分析.模拟结果与测量值的误差为4.5%,表明设定的模型与实际情况符合较好.模拟结果表明,对于金属DIP封装的MCM,内热通路主要沿芯片背面向外壳底表面传递.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 多芯片组件的三维温场有限元模拟与分析
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 多芯片组件 热模拟 热分析 有限元
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 371-374
页数 4页 分类号 TN452
字数 2039字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.012
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李志国 北京工业大学电子信息与控制工程学院 57 418 12.0 18.0
2 程尧海 北京工业大学电子信息与控制工程学院 17 154 6.0 12.0
3 魏顺宇 北京工业大学电子信息与控制工程学院 1 24 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
多芯片组件
热模拟
热分析
有限元
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
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