一种4 kb铁电存储器的设计

• 作者: 任天令 安黎 魏朝刚
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电存储器 灵敏放大器 铁电电容模型
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 437-440
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.9
• 字数: 3040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.028

摘要

以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4 kb (512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块.设计中,采用新开发的铁电电容模型,文中重点介绍了与传统DRAM、SRAM等存储单元完全不同的铁电存储单元的设计方法.仿真结果表明,铁电存储器在5 V工作电压下工作周期为120 ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏朝刚	清华大学微电子所	3	20	2.0	3.0
2	任天令	清华大学微电子所	87	600	13.0	19.0
3	安黎	清华大学微电子所	1	5	1.0	1.0