薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价

• 作者: 李斌 王茂菊 章晓文 陈平 韩静
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 薄栅氧化物 经时绝缘击穿 斜坡电压法 可靠性 寿命
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 336-339
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 3073字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2005.04.003

摘要

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量的重要方法.文章着重于薄栅氧化层TDDB可靠性评价的斜坡电压试验方法的研究,基于斜坡电压实验,提取模型参数,分别利用线性场模型和定量物理模型,外推出工作电压下栅氧化层的寿命.通过分析斜坡电压实验时氧化层的击穿过程,提出斜坡电压实验时利用统一模型外推栅氧化层的寿命比较合适.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李斌	华南理工大学物理科学与技术学院	128	542	12.0	17.0
2	陈平	华南理工大学物理科学与技术学院	29	234	8.0	14.0
3	王茂菊	华南理工大学物理科学与技术学院	2	14	2.0	2.0
4	韩静	华南理工大学物理科学与技术学院	8	32	4.0	5.0