微电子学2008年第2期出版文献-钛学术文献服务平台

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微电子学

投稿

Microelectronics

CA JST AJ SA CSTPCD

影响因子 0.2976

本刊是技术类期刊。传播、普及、推广微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。

主办单位：

四川固体电路研究所

期刊荣誉：

中文核心期刊 信息产业部优秀电子科技期刊

ISSN：

1004-3365

CN：

50-1090/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号24所

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热门刊内文献

年度刊次

1. 铜互连应力模拟分析

作者：刘彬刘静吴振宇杨银堂汪家友

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 153-156

摘要：建立了三维有限元模型,采用ABAQUS有限元分析软件,模拟计算了Cu互连系统中的热应力分布;通过改变通孔直径、铜线余量、层间介质等,对比分析了互连结构对热应力分布的影响.结果表明, 互连应力...
2. D/A转换器抗辐射加固技术研究

作者：张加斌李儒章李荣强王定军石建刚

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 161-165

摘要：介绍了一种16位D/A转换器抗辐射加固设计和工艺技术.主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述;重点对BiCMOS加固工艺的器件结构设计原理进行了详细阐述,给出...
3. 偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

作者：何玉娟刘远师谦恩云飞李斌章晓文罗宏伟

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 166-169,173

摘要：采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于...
4. 流水线ADC的一种数字校准算法与实现结构

作者：周玉梅戴澜胡晓宇蒋见花

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 170-173

摘要：校准是实现高精度高速度流水线A/D转换器的关键技术之一.对流水线A/D转换器进行了分析;对一种通过注入比较器阈值电平作为测试信号,以转换曲线跳变点高度的变化来得到新权重的数字校准算法进行研究...
5. 8位10 MSPS流水折叠式ADC的性能测试和分析

作者：洪岳炜王百鸣闫杰

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 174-177

摘要：利用信号完整性分析方法,研究探讨了高速ADC的性能指标测试问题.通过实验仿真,对一个自主设计的分辨率为8 位、采样速率最高达10 MSPS的高速流水折叠式ADC进行了相关测试分析;分别给出了...
6. 流水线ADC增益误差及电容失配对线性度的影响

作者：刘源宁宁汪月花

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 178-181,186

摘要：流水线ADC的系统性能会受到各种误差源的影响,建立精确的误差模型对于优化系统设计具有重要意义.根据流水线ADC系统线性度指标之间的基本关系,提出了一种改进的增益误差模型,同时导出了增益误差和...
7. 基于SKILL语言的自动天线效应修复器设计

作者：杨军赵兵黄凯

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 182-186

摘要：在深亚微米大规模集成电路设计和制造过程中,可靠性已经成为主要的挑战[1].文章关注一个重要的可靠性问题―天线效应.首先对天线效应进行分析,然后用SKILL语言设计了自动天线效应修复器.提出了...
8. IC制造中的ARMA模型分析与动态工艺控制

作者：严利人刘道广窦维治黄伟

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 187-191

摘要：提出了动态工艺条件控制的概念,即通过引入自适应算法ARMA,可对集成电路制造工艺效果进行预测,并根据预测结果,对工艺条件加以实时的调整控制,达到改善成品率的目的.采用动态工艺条件控制,打破了...
9. 本刊声明

作者：

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 191

摘要：
10. 采用电阻补偿的高PSRR基准电压源设计

作者：刘珂尹韬杨海钢

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 192-196,200

摘要：与传统的带隙基准电路完全使用p-n结达到高次温度补偿不同,提出利用标准CMOS工艺下不同电阻的不同温度系数,实现温度的高次补偿,大大减小了电路的复杂性和功耗.同时,通过增加电源电压耦合电路,...
11. MOCVD制备PZT薄膜技术研究

作者：任天令刘理天林惠旺谢丹阮勇

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 197-200

摘要：采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD),制备Pb (ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜;通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数,如温度、压力、系统的气...
12. 一种消除电路"记忆效应"的数字域校正算法

作者：徐刚杨谟华王妍

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 201-205

摘要：基于"运放共享"电路工作原理,研究了流水线A/D转换器的MDAC模块因采用"运放共享"结构引入的"记忆效应";搭建实际电路,测试出"记忆效应"因子;采用Matlab,仿真了此效应对12位10...
13. CMOS RFIC平面螺旋差分变压器参数化等效电路建模

作者：多新中徐洁晶杨立吾汪辉

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 206-210,214

摘要：对现今常用的八边形CMOS RFIC平面螺旋差分变压器进行了参数化的2-π集总参数等效电路建模.所建模型包含随频率变化的各种损耗效应,各元件值均可根据工艺参数和器件几何尺寸以参数化的解析表达...
14. SiC VDMOS特性的影响因素分析

作者：张娟徐俊平杨银堂柴常春

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 211-214

摘要：研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响.结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件.对阈值电压和漏极电流的...
15. 时钟产生电路中高频生成器的分析与设计

作者：姚丽娜

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 218-221

摘要：分析了目前常用的高频生成器的电路结构及其优缺点,提出了一种新的高频生成器电路结构.该电路完全由数字逻辑门构成,结构简单;同时,倍频系数可达10以上;在参考时钟频率为100 MHz时,可以实现...
16. 具备兼容性和层次性的SOC测试控制结构设计

作者：杜俊赵元富鲍芳

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 222-225,240

摘要： IP核的集成问题是SOC设计的关键,测试集成更是无法回避的难题.因此,灵活高效的测试控制结构成为SOC可测性设计的重要研究内容.文章分析了IEEE Std 1149.1对传统IC芯片内部和外...
17. 1.8 V音频Σ-Δ调制器设计与实现

作者：刘力源劳森朱颖佳李冬梅

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 226-230

摘要：介绍了一种适用于数字音频应用的16位8 kHz Σ-Δ调制器,该电路采用单环三阶、单比特量化形式;为适应较低电压,采用带密勒补偿的两级运放.仿真结果显示,调制器在128倍过采样率时,带内信号...
18. 低功耗音频Δ-Σ D/A转换器

作者：刘中李冬梅

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 231-235

摘要：设计了一种适用于音频应用的16位D/A转换器.芯片集成了内插滤波器、Δ-Σ调制器和D类功放,可以独立完成带宽为8 kHz的音频数字信号到模拟信号的转换.内插滤波器完成64倍过采样并消除镜像信...
19. 一种用于10位50 MS/s流水线ADC的MDAC

作者：袁俊郭良权陈珍海

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 236-240

摘要：利用运放共享技术,设计了一种用于10位50 MS/s流水线ADC的增益D/A转换器(MDAC).采用SMIC 0.25 μm 1P5M标准数字CMOS工艺,整个MDAC模块的版图面积为0.0...
20. 一种低功耗12位30 MHz流水线A/D转换器

作者：戴庆元朱红卫钱文荣

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 241-245

摘要：设计了一种12位30 MHz 1.8 V流水线结构A/D转换器,该A/D转换器采用相邻级运算放大器共享技术和逐级电容缩减技术,其优点是可以大大减小芯片的功耗和面积.电路采用级联一个高性能前置...
21. TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM读取电路设计

作者：李博梁茂郭龙飞魏廷存魏晓敏

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 246-249,254

摘要：针对TFT-LCD驱动控制芯片内置图形SRAM中具有数千位数据吞吐能力的显示驱动端口操作时引入的电压"风暴"问题和强烈寄生效应导致的TCON读出端口读数速度下降问题,提出分时分次的读出方案和...
22. 一种20 mW 12位5 MHz信号带宽连续时间Σ-Δ调制器

作者：任俊彦李怡然许俊陈建球

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 250-254

摘要：在SMIC 0.18 μm CMOS 工艺条件下,设计了一个可应用于无线通讯和视频领域的高带宽低功耗Σ-Δ调制器.该调制器采用连续时间环路滤波器,较之传统的开关电容滤波器,连续时间滤波器可大...
23. 一种用于锂电池保护芯片的低功耗电压基准源

作者：周海峰洪慧韩雁马绍宇

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 255-257,261

摘要：介绍了一种应用于锂电池保护芯片的低功耗CMOS电压基准源.该电路采用耗尽型NMOS管作电流源器件,结合负反馈,实现了稳定的电压基准.这种新型电压基准电路适用于锂电池保护芯片,提供检测基准电压...
24. 一种高精密集成运算放大器的研制

作者：刘伦才尚正国张敏徐世六王岳生黄文刚

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 258-261

摘要：基于运算放大器的基本原理和一些关键技术(基流自举补偿、偏置微调等)的运用,成功地研制出一种双极型高精度低失调集成运算放大器.测试结果显示,该运算放大器失调电压仅为10 μV,失调电流小于1 ...
25. 无线应用CMOS低噪声放大器的设计

作者：周平李江涛

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 267-270

摘要：基于射频CMOS集成电路技术, 设计出用于无线通信系统的CMOS低噪声放大器.对影响其增益、噪声系数的阻抗匹配进行了分析.采用TSMC的0.35 μm射频工艺库,在ADS仿真平台上对低噪声放...
26. 具有阈值可编程信号检测功能的BiCMOS限幅放大器

作者：周华王豪蒋湘陶玉茂黄启俊

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 280-283

摘要：采用0.6 μm BiCMOS工艺,设计了一种应用于FTTH(光纤到户)的限幅放大器.该限幅放大器采用PECL电平输出,动态范围宽,信号增益高,输入差分信号1.6～800 mV,单端输出电压...
27. 一种AB类输出的高精度CMOS正向电流传输器

作者：彭建华杜广涛陈向东

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 294-297,301

摘要：基于CSMC 0.5 μm工艺,在两级CMOS运放的基础上,设计了一种结构简单、电压跟随能力强和电流传输精度高的第二代正向电流传输器(CCII+).设计中,通过采用AB类推挽输出方式,达到了...
28. 精缩机制版阵列插图研究

作者：任芳何敏刘嵘侃崔伟

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 298-301

摘要：介绍了利用3696精缩机进行制版阵列插图的研究工作,总结了插图工艺制作的基本方法、常见问题及解决办法.通过具体应用实例,对多种形式的阵列插图制作进行了有益的探讨,对光掩模版的制造具有一定的指...
29. 一种嵌入式DSP核的设计及FPGA验证

作者：李平李辉

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 302-305

摘要：设计了一个4级流水线的16位定点DSP核.该DSP核支持151条指令,除了执行返回指令需要两个机器周期外,其他指令都在一个机器周期内完成.该DSP核用Altera公司的Cyclone EP1...
30. 基于FPGA的VGA控制模块设计

作者：伍乾永刘永春陈彬

刊名：微电子学

发表期刊： 2008年2期

页码: 306-308

摘要：论述了基于FPGA(Field Programmable Gate Array)的实时图像处理系统中VGA(Video Graphics Array)显示控制模块的设计方法.对存储在SRAM...

微电子学基本信息

刊名	微电子学	主编	武俊齐
曾用名
主办单位	四川固体电路研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1004-3365	CN	50-1090/TN
邮编	400060	电子邮箱	wdzx@sisc.com.cn
电话	023-62834360	网址	wdzx.sisc.com.cn
地址	重庆市南坪花园路14号24所

微电子学评价信息

该刊被以下数据库收录

1.	化学文摘(美)
2.	日本科学技术振兴机构数据库(日)
3.	文摘杂志(俄)
4.	科学文摘(英)
5.	中国科技论文统计与引文分析数据库