D/A转换器抗辐射加固技术研究

• 作者: 张加斌 李儒章 李荣强 王定军 石建刚
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: D/A转换器 γ总剂量辐射 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 161-165
• 页数: 5页
• 分类号: TN79+2
• 字数: 2929字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种16位D/A转换器抗辐射加固设计和工艺技术.主要从系统结构加固设计、关键单元加固设计和工艺加固技术等方面进行了阐述;重点对BiCMOS加固工艺的器件结构设计原理进行了详细阐述,给出了器件仿真数据和实验结果;最后,对辐照试验进行了分析.采用该加固工艺研制的16位D/A转换器实现了转换速率大于30 MSPS,建立时间小于50 ns,线性误差和微分误差均小于±8 LSB等性能指标;其抗中子辐射水平为5×1013n/cm2,抗γ总剂量辐射水平达5.0×103 Gy(Si).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李儒章		24	129	7.0	9.0
2	石建刚	中国电子科技集团公司第二十四研究所	6	16	2.0	3.0
3	张加斌		3	7	2.0	2.0
4	李荣强	中国电子科技集团公司第二十四研究所	10	52	3.0	7.0
5	王定军		1	2	1.0	1.0